"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура наноразмерных структур Ga1-xAlxAs, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации
Донаев С.Б.1, Умирзаков Б.Е.1, Ташмухамедова Д.А.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: ftmet@rambler.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Исследованы морфология и электронные свойства поверхности нанокристаллических фаз и нанопленок Ga1-xAlxAs с толщиной 2.0 -7.0 nm, созданных на поверхности GaAs (111), имплантированных ионами Al+ в сочетании с отжигом (лазерный + температурный). Показано, что ширина запрещенной зоны Eg нанокристаллической фазы Ga0.5Al0.5As с поверхностными размерами 25 - 30 nm составляет 2.8 - 2.9 eV.
  • Ченг Л., Плог К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Пер. с англ. / Под ред. Ж.И. Алферова, Ю.В. Шмарцева. М.: Мир, 1989. 582 с
  • Золотарев В.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А. и др. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 1. С. 124--128
  • Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Николаев Д.Н. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 3. С. 388--391
  • Абрамкин Д.С., Журавлёв К.С., Шамирзаев Т.С., Ненашев А.В., Калагин А.К. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 2. С. 183--191
  • Ваганов С.А., Сейсян Р.П. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 1. С. 104--110
  • Середин П.В., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Prutskij T. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 1. С. 3--8
  • Laref S., Mec-abih S., Abbar B., Bouhafs B., Laref A. // Physica. B. 2007. Vol. 396. P. 169
  • Su-Huai Wei, Zunger A. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39 (5). P. 700
  • Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Мурадкабилов Д.М., Болтаев Х.Х. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 6. C. 66--70
  • Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Рузибаева М.К., Ташатов А.К., Донаев С.Б., Мавлянов Б.Б. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 9. C. 146--149
  • Умирзаков Б.Е., Нормурадов М.Т., Ташмухамедова Д.А., Ташатов А.К. Наноматериалы и перспективы их применения. Ташкент: MERIYUS, 2008. 256 с
  • Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014. N 4. С.24--29
  • Фридрихов С.А., Мовин С.М. Физические основы электронной техники. М.: Высшая школа, 1982. 608 с.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.