"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии
Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Предложена универсальная эллипсометрическая модель, описывающая оптические свойства пленок карбида кремния SiC, выращенных на кремнии Si методом замещения атомов за счет химической реакции подложки кремния с газом монооксида углерода. Данная модель является трехслойной моделью, в которой концентрация кремния уменьшается ступенчатым образом в направлении от подложки к поверхности пленки. Эллипсометрические спектры образцов SiC/Si(111), SiC/Si(100), SiC/Si(110), выращенных в одинаковых условиях, измерялись эллипсометром VUV-VASE/J.A. Woollam с вращающимся анализатором в диапазоне 1.35-9.25 eV. Обработка полученных результатов в рамках предложенной модели впервые дала политипный состав пленок SiC. Показано, что SiC на Si(111) является в основном кубическим, SiC на Si(110) является преимущественно гексагональным с примесью кубического политипа, SiC на Si(100) имеет смешанный политипный состав.
  • Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 8. С. 1457--1485
  • Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 313 001-41
  • Pohl U.W. Epitaxy of Semiconductors. Berlin: Springer-Verlag, 2013. 325 p
  • Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 0249 091-7
  • Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 4. С. 761--768
  • Losurdo M., Hingerl K. (eds). Ellipsometry at the Nanoscale. Berlin: Springer-Verlag, 2013. 730 p
  • Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 12. С. 1575--1579
  • Cobet C., Wilmers K., Wethkamp T., Edwards N.V., Essera N., Richtera W. // Thin Solid Films. 2000. V. 364. P. 111--113
  • Lindquist O.P.A., Jarrendahl K., Peters S., Zettler J.T., Cobet C., Esser N., Aspnes D.E., Henry A., Edwards N.V. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 2715--2717
  • Грудинкин C.А., Голубев В.Г., Осипов А.В., Феоктистов Н.А., Кукушкин С.А. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 12. С. 182--187.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.