Издателям
Вышедшие номера
Эффект нестационарной проводимости высокоомного кристалла SrTiO3, содержащего сеть проводящих нанонитей
Шаблаев С.И.1, Грачев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: grach.shuv@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Проводимость высокоомного кристалла SrTiO3, обусловленная присутствием в объеме образца проводящих нанонитей, демонстрирует нестационарное поведение, что, в частности, выражается в длительном снижении тока при фиксированном значении приложенного напряжения. Данный процесс, как и восстановление исходной проводимости, характеризуется широким спектром времен от десятков секунд до десятка дней. Установлено, что падение тока связано с изменением проводимости в области обратносмещенного контакта, обусловленным, скорее всего, ростом высоты/ширины поверхностного барьера. Модуляция энергетического профиля барьера может иметь разнонаправленный характер в зависимости от знака заряда, формируемого при участии поверхностных состояний на границе раздела электрод-кристалл. Полученные результаты позволяют прояснить механизм переноса заряда в локальных регионах контакта, где металлизированные нанонити достаточно глубоко проникают внутрь обедненного слоя барьера.
  • С.И. Шаблаев, А.И. Грачев. ФТТ 56, 655 (2014)
  • С.И. Шаблаев, А.И. Грачев. ФТТ 57, 1479 (2015)
  • С.И. Шаблаев, А.И. Грачев. ФТТ 58, 905 (2016)
  • К. Szot, W. Speier, R. Carius, U. Zastrow, W. Beyer. Phys. Rev. Lett. 88, 75508 (2002)
  • К. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, R. Waser. Nature Mater. 5, 312 (2006)
  • R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot. Adv. Mater. 21, 2632 (2009)
  • R. Muenstermann, T. Menke, R. Dittmann, R. Waser. Adv. Mater. 22, 4819 (2010)
  • R. Waser, M. Klee. Integr. Ferroelectrics 2, 257 (1992)
  • C. Ni, S.M. Guo, H.F. Tian, Y.G. Zhao, J.Q. Li. Appl. Phys. Lett. 91, 183 502 (2007)
  • H.-J. Zhang, X-P. Zhang, Y.-G. Zhao. Chin. Phys. Lett. 26, 077303 (2009)
  • X.B. Yan, K. Li, J. Yin, Y.D. Xia, H.X. Guo, L. Chen, Z.G. Liua. Electrochem. Solid-State Lett. 13, H87 (2010)
  • Z.B. Yan, J.-M. Liu. Sci. Rep. 3, 2482 (2014)
  • D. Kan, Y. Shimakawa. Appl. Phys. Lett. 103, 142910 (2013)
  • X-B. Yin, Z-H. Tan, X. Guo. Phys. Chem. Chem. Phys 17, 134 (2015)
  • E. Mikheev, B.D. Hoskins, D.B. Strukov, S. Stemmer. Nature Commun. 5, 3990 (2014)
  • E. Mikheev, J. Hwang, A.P. Kajdos, A.J. Hauser, S. Stemmer. Sci. Rep. 5, 11079 (2015)
  • C. Sudhama, A.C. Campbell, P.D. Maniar, R.E. Jones, R. Moazzami, C.J. Mogab, J.C. Lee. J. Appl. Phys. 75, 1014 (1994)
  • S.-G. Yoon, A.I. Kingon, S.-H. Kim. J. Appl. Phys. 88, 6690 (2000)
  • B. Nagaraj, S. Aggarwal, R. Ramesh. J. Appl. Phys. 90, 375 (2001)
  • I. Stolichnov, A. Tagantsev. J. Appl. Phys. 84, 3216 (1998)
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник. Радио и связь, М. (1982). 208 с
  • G.D.J. Smit, S. Rogge, T.M. Klapwijk. Appl. Phys. Lett. 81, 3852 (2002)
  • J. Hou, S.S. Nonnenmann, W. Qin, D.A. Bonnell. Adv. Funct. Mater. 24, 4113 (2014)
  • Y.B. Zhu, L.K. Ang. Sci. Rep. 5, 9173 (2015)
  • B.K. Readly. Proc. Phys. Soc. 82, 954 (1963)
  • A. Thanailakis, D.C. Northop. J. Phys. D 4, 1776 (1971)
  • E.M. Bourim, Y. Kim, D.-W. Kim. ECS J. Solid State Sci. Technol. 3, N95 (2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.