"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Численное моделирование наносекундного переключения p-SOS-диода
Подольская Н.И.1, Люблинский А.Г.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: natalya@scc.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

Проведено численное моделирование процесса резкого обрыва обратного тока большой плотности при переключении с прямого смещения на обратное в кремниевой p+P0n+-структуре (p-SOS-диоде). Показано, что в такой структуре обрыв тока происходит вследствие формирования двух динамических доменов сильного электрического поля в областях, где концентрация свободных носителей значительно превышает концентрацию легирующей примеси. Первый домен формируется в n+-области у n+P0-перехода, а второй в P0-области у границы с p+-слоем. Второй домен расширяется существенно быстрее и именно он в основном определяет скорость обрыва тока. Достигнуто хорошее согласие расчета с экспериментом при полном учете реальной электрической цепи, определяющей процессы накачки и выкачки электронно-дырочной плазмы. DOI: 10.21883/JTF.2017.12.45199.2313
  • Котов Ю.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н., Филатов А.А. // ДАН. 1993. Т. 330. Вып. 3. С. 315--317
  • Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 7. С. 989--995
  • Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 4. С. 535--543
  • Engelko A., Bluhm H. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. I. 10. P. 5828--5836
  • Грехов И.В., Люблинский А.Г., Белякова Е.И. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 3. С. 106--109
  • SILVACO ATLAS, User guide, http://www.silvaco.com
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.