Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2018, выпуск 4 » Статья стр. 641
<<<>>>
Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР
DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45670.211
Переводная версия: 10.1134/S1063783418040121
Ильин И.В.1, Успенская Ю.А.1, Крамущенко Д.Д.1, Музафарова М.В.1, Солтамов В.А.1, Мохов Е.Н.1, Баранов П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: pavel.baranov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
PDF версия
Приведены результаты исследований акцепторов III группы (B, Al, Ga) в кристаллах карбида кремния с использованием наиболее информативных методов электронного парамагнитного резонанса и двойного электронно-ядерного резонанса и рассмотрены структурные модели акцепторов с мелкими уровнями и с глубокими уровнями. Наряду с данными, полученными ранее, добавлены исследования с использованием высокочастотных методов магнитного резонанса, позволивших обнаружить орторомбические отклонения от аксиальной симметрии для глубоких акцепторов, и проведен теоретический анализ, объясняющий наблюдаемые в экспериментах сдвиги g-факторов для глубоких акцепторов, обусловленные появлением орторомбических искажений, вероятно, вследствие наличия эффекта Яна-Теллера. DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45670.211
  1. G. Pensl, R. Helbig, Festkoerperprobleme: Adv. Solid State Phys., 30 / Ed. U. Roessler. Vieweg, Braunschweig (1990). P. 133 and references therein
  2. Г.А. Ломакин. ФТТ 7, 600 (1965)
  3. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП 19, 69 (1985)
  4. H. Kuwabara, S. Yamada. Phys. Status Solidi A 30, 739 (1975)
  5. M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B 22, 2842 (1980)
  6. W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning, Appl. Phys. A 51, 231 (1990)
  7. В.С. Балландович, Е.Н. Мохов. ФТП 29, 370 (1995)
  8. M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Lumin. 20, 111 (1979)
  9. H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev. 124, 1083 (1961)
  10. А.Г. Зубатов, И.М. Зарицкий, С.Н. Лукин, Е.Н. Мохов, В.Г. Степанов. ФТТ 27, 322 (1985)
  11. K. Maier, J. Schneider, W.Wilkening, S. Leibenzeder, R. Stein. Mater. Sci. Eng. B 11, 27 (1992)
  12. Н.П. Баран, В.Я. Братусь, А.А. Бугай, В.С. Сихнин, А.А. Климов, В.М. Максименко, Т.Л. Петренко, В.В. Романенко. ФТТ 35, 3135 (1993) и ссылки в ней
  13. P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994)
  14. P.G. Baranov, E.N. Mokhov, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 293 (1996)
  15. P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 11, 489 (1996)
  16. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Communic. 100, 371 (1996)
  17. П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 1446 (1996)
  18. K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 32, 2273 (1985)
  19. П.Г. Баранов, В.А. Ветров, Н.Г. Романов, В.И. Соколов. ФТТ 27, 3459 (1985)
  20. P.G. Baranov, N.G. Romanov. Appl. Magn. Reson. 2, 361 (1991)
  21. P.G. Baranov, N.G. Romanov. Mater. Sci. Forum 83-87, 1207 (1992)
  22. P.G. Baranov. Defect and Diffusion Forum 148-149, 129 (1997)
  23. T. Matsumoto, O.G. Poluektov, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Rev. B 55, 2219 (1997)
  24. A.V. van Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 57, 1607 (1998)
  25. A. van Duijn-Arnold, J. Mol, R. Verberk, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Rev. B 60, 15829 (1999)
  26. Т.Л. Петренко, В.В. Тесленко, Е.Н. Мохов. ФТП 26, 1556 (1992)
  27. T.L. Petrenko, A.A. Bugai, V.G. Baryakhtar, V.V. Teslenko, V.D. Khavryutchenko. Semicond. Sci. Technol. 9, 1849 (1994)
  28. R. Muller, M. Feege, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol. 8, 1377 (1993)
  29. J. Reinke, R. Muller, M. Feege, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Mater. Sci. Forum 143-147, 63 (1994)
  30. J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. (UK) 137, 211 (1994)
  31. F.J. Adrian, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Solid State Comm., 94, 41 (1995)
  32. Н.Г. Романов, В.А. Ветров, П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. Письма в ЖТФ 11, 1168 (1985)
  33. P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.A. Vetrov, V.G. Oding. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. E.M. Anastassakis, J.D. Joannopoulos. World Scientific, Dingapore (1990). V. 3. P. 1855
  34. П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, А. Хофштеттер, А. Шарманн. Письма в ЖЭТФ 63, 803 (1996)
  35. B.K. Meyer, A. Hofstaetter, P.G. Baranov. Mater. Sci. Forum Vols 264-268, 591 (1998)
  36. J.R. Morton, K.F. Preston. J. Magn. Reson. 30, 577 (1978)
  37. A. van Duijn-Arnold, J. Schmidt, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Phys. Rev. B, 60, 15799 (1999)
  38. G. Bachelet, G.A. Baraff, M. Schulter, Phys. Rev. B 24, 4736 (1981)
  39. S.T. Pantelides, W.A. Harrison, F. Yndurain. Phys. Rev. B 34, 6038 (1986)
  40. H.B. Gray. Electrons and Chemical Bonding, W.A. Benjamin INC, N. Y.-Amsterdam (1965). 244 p
  41. G.D. Watkins. Phys. Rev. 155, 802 (1967)
  42. M. Maiwald, 0.F. Schirmer. Europhys. Lett. 64, 776 (2003)
  43. Le Si Dang, R.M. Lee, G.D. Watkins. Phys. Rev. Lett. 45, 390 (1980)
  44. J.F. Scott, D.J. Toms, Le Si Dang, Р.М. Lee, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B 23, 2029 (1981)
  45. G.W. Ludwig, H.H. Woodbury. In: Solid State Physics. Vol. 13 / Ed. F. Seitz, D. Turnbull. Academic Press. N. Y. (1962). P. 233
  46. G. Feher, J.C. Hensel, E.A. Gere. Phys. Rev. Lett. 5, 309 (1960).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme