На основании исследований изменения спектров фотолюминесценции объемных кристаллов GaN, легированных Eu, показано, что в зависимости от суммарной концентрации дефектов в исходной полупроводниковой матрице легирующая примесь может находиться в кристалле в различном зарядовом состоянии. В кристаллах с наименьшей концентрацией дефектов с мелкими уровнями реализуется лишь одно зарядовое состояние иона --- Eu3+. Обнаружено, что при увеличении концентрации таких дефектов Eu в матрице GaN может существовать в двух зарядовых состояниях --- Eu2+ и Eu3+. Наблюдался эффект геттерирования дефектов исходной матрицы GaN редкоземельной примесью.
A.J. Steckl, B. Birkhahn. Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1999)
A.J. Steckl, M. Garter, B. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys. Lett. 74, 2101 (1999)
S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull. Appl. Phys. Lett. 71, 2662 (1997)
P.H. Citrtn, P.A. Northrup, R. Birkhahn, A.J. Steckl. Appl. Phys. Lett. 76, 2865 (2000)
Л.С. Власенко, А.Т. Гореленок, В.В. Емцев, А.В. Каманин, Д.С. Полоскин, Н.М. Шмидт. ФТП 35, 2, 184 (2001)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Письма в ЖТФ 28, 7, 19 (2002)
Ю.В. Жиляев, А.С. Адрианов, М.М. Мездрогина, В.А. Некрасов, И.Н. Сафронов. Тез. II Российской конф. по физике полупроводников. Новосибирск (1999). С. 56
R.A. Street. Adv. in Phys. 30, 593 (1981)
S. Permogorov, A. Reznitsky. J. Lumin. 52, 201 (1992)
E. Cohen, M. Sturge. Phys. Rev. B 25, 3828 (1982)
A. Klochichin, A. Reznitsky, S. Permogorov, T. Breitkopf, M. Gruen, M. Hetterich, C. Klingshirn, V. Lyssenko, J.V. Hvam. Phys. Rev. B 59, 12 497 (1999)
E. Iliopoulos, D. Doppalapudi, H.M. Ng, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 73, 377 (1998)
R. Dingle, D.D. Seil, S.E. Stakowsky, M. Ilegems. Phys. Rev. B 4, 1211 (1971)
V. Kiroilyuk, P.H. Hageman, M. Zielenski. Appl. Phys. Lett. 79, 4109 (1999)
В.Ю. Некрасов, П.В. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП 33, 12, 1428 (1999)
H.I. Lozykowski. Phys. Rev. B 48, 17 758 (1998)
М.М. Мездрогина, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков, Ф.С. Насрединов, Н.П. Серегин, П.П. Серегин. ФТП 36, 12, 1252 (2002)
С.V. Thiel, H. Cruguel, H. Wu, Y. Sun, G.J. Lapeyre, R.L. Cone, R.W. Equal, R.M. Macfarlane. Phys. Rev. B 64, 085 107 (2001)
А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, М.О. Воробьев, У. Кайзер, В. Рихтер, И.И. Ходес. ФТП 35, 6, 725 (2001)
J. Heikenfeld, M. Garter, D.S. Lee, R. Birkhahn, A.J. Stekl. Appl. Phys. Lett. 75, 1189 (1999)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук