В полупроводнике ZnTe : Ni методом полевой экситонно-колебательной спектроскопии впервые обнаружено локальное колебание решетки, формируемое примесью никеля, имеющей отрицательный заряд относительно решетки. Спектр электропоглощения ZnTe : Ni содержит эквидистантные по энергии колебательные повторения головной линии, частота которых равна 13±1 THz, что более чем в 2 раза превышает предельную частоту фононов в ZnTe. Обсуждаются возможные причины появления локального колебания в ZnTe : Ni на основе представлений об ионно-ковалентном характере химических связей ZnTe, а также большая ширина локального колебания, обусловленная его ангармоничностью.
K.A. Kikoin, V.N. Fleurov. Transition Metal Impurities in Semiconductors. Electronic Structure and Physical Properties. World Scientific, Singapore (1994). 349 p
А.В. Кроль, Н.В. Левичев, А.Л. Натадзе, А.И. Рыскин. ФТТ 20, 1, 154 (1978)
R.B. Bylsma, P.M. Bridenbaugh, D.H. Olson, A.M. Glass. Appl. Phys. Lett. 51, 12, 889 (1987)
H.J. von Bardeleben, C. Miesner, J. Monge, B. Briat, J.C. Launay, X. Launay. Semicond. Sci. Technol. 11, 1, 58 (1996)
В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, Е.А. Широков, А.Н. Кислов. ФТТ 44, 1, 33 (2002)
В.И. Соколов, А.Т. Лончаков. Письма в ЖЭТФ 73, 11, 708 (2001)
В.И. Соколов. ФТП 28, 4, 545 (1994)
Ю.П. Гнатенко, А.И. Жмурко. УФЖ 29, 8, 1182 (1984)
V.I. Sokolov, K.A. Kikoin. Soviet Science Reviews: Physics / Ed. I.M. Khalatnikov. Harwood Academic Publ., GmbH, London (1989). V. 12. P. 147
В.И. Соколов. ФТТ 29, 6, 1848 (1987)
M.J. Caldas, A. Fassio, A. Zunger. Appl. Phys. Lett. 45, 6, 671 (1984)
A. Zunger. Solid State Phys. 39, 275 (1986)
U. Kaufmann, J. Windscheit, G. Brunthaler. J. Phys. C: Solid State Phys. 17, 34, 6169 (1984)
B. Clerjaud, A. Geleneau, F. Gendron, C. Porte, J.M. Baranovsky, Z. Liro. Phys. C: Solid State Phys. 17, 21, 3837 (1984)
G. Roussos, J. Nagel, H.-J. Schulz. J. Phys. B: Cond. Mater. 53, 1, 95 (1983)
H. Lange, E. Gutsche. Phys. Stat. Sol. 32, 293 (1969)
В.И. Соколов, В.Н. Старовойтова. ФТП 35, 2, 143 (2001)
Landolt-Bornstein. Physics of II--VI Semiconductors / Ed. O. Madelung. Springer-Verlag, Berlin (1982)
S.G. Bishop, D.J. Robins, P.J. Dean. Solid State Commun. 33, 119 (1980)
R. Heitz, A. Hoffman, I. Broser. Phys. Rev. B 48, 12, 8672 (1993)
М. Коэн. УФН 112, 4 (1974)
V. Wagner, J.J. Liang, R. Kruse, S. Gundel, M. Keim, A. Waag, J. Geurts. Phys. Stat. Sol. (b) 215, 87 (1999)
К.А. Кикоин, А.С. Мищенко. ЖЭТФ 104, 5, 3810 (1993)
V.I. Sokolov, T.P. Surkova, M.P. Kulakov, A.V. Fadeev. Solid State Cummun. 44, 391 (1982)
V.I. Sokolov, E.A. Shirokov, A.N. Kislov, V.G. Mazurenko. Phys. Stat. Sol. 221, 1, 553 (2000)
А. Марадудин. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. Мир, М. (1968). С. 432
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук