Продемонстрирована возможность генерации СВЧ-импульсов в фотовольтаическом режиме монолитными трехпереходными p-i-n AlGaAs/GaAs фотопреобразователями (ФП) лазерного излучения, выращенными методом молекулярно-пучковой эпитаксии. В монолитных трехпереходных p-i-n AlGaAs/GaAs ФП достигнуто существенное увеличение выходной пиковой импульсной мощности и быстродействия в субнаносекундном диапазоне по сравнению с однопереходным p-i-n ФП. При вводе из оптоволокна импульсного лазерного излучения на длине волны 850 nm с пиковой мощностью <5 W и длительностью на полувысоте амплитуды tau_0.5=140 ps получены импульсы фотоответа с амплитудой U_max=2.7 V, пиковой мощностью P_peak=21.6 dBm и длительностью tau_0.5≤750 рs. Модуль из двух ФП, включенных последовательно, обеспечил на выходе импульсы с амплитудой U_max=3.4 V, мощностью P_peak=23.7 dBm и длительностью tau_0.5≤420 рs. Показано, что модуль из четырех монолитных трехпереходных ФП способен формировать биполярный СВЧ-импульс с параметрами U_max=6.4 V, P_peak=29.1 dBm, tau_0.5≤1 ns c полосой пропускания до 1.4 GHz и основной несущей частотой ~ 0.8 GHz. Проведенное численное моделирование показало достаточно хорошее соответствие между измеренными и расчетными формами импульсов фотоответа данных ФП. Ключевые слова: монолитный трехпереходный фотопреобразователь, p-i-n AlGaAs/GaAs фотопреобразователь, генерация СВЧ-импульсов, молекулярно-пучковая эпитаксия, импульсное лазерное излучение, длительность на полувысоте амплитуды, оптоволокно, пиковая мощность.