Исследуются особенности формирования литографического рисунка на (100) GaAs-подложке методом сканирующей зондовой литографии с использованием зондов с иглой из монокристаллического алмаза. Показано, что при нажиме зонда на поверхность и последующем движении относительно подложки происходит формирование углублений в подложке. Их глубина и ширина зависят от направления движения и формы острия зонда. Наибольшая глубина достигается при движении зонда в направлении, перпендикулярном плоскости грани острия с наибольшей площадью. Вследствие этого при циркулярном движении зонда возникает азимутальная неоднородность сформированных наноканавок по глубине, которая может быть устранена наклоном плоскости подложки. Ключевые слова: сканирующая зондовая литография, атомно-силовая микроскопия, GaAs, микродиски.