Влияние температуры на квантовую эффективность фотоэлектрохимического разложения воды микро- и нанодендритами металл-полупроводник
Российский научный фонд, 20-19-00559
Сидоров А.И.1,2, Нащекин А.В.3, Никоноров Н.В.1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Email: sidorov@oi.ifmo.ru, nashchekin@mail.ioffe.ru, nikonorov@oi.ifmo.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 6 января 2025 г.
Принята к печати: 17 января 2025 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2025 г.
Исследованы внутренняя квантовая эффективность фотокаталитического разложения воды в водном растворе солей, близком по составу к морской воде, а также влияние температуры на фотокаталитические процессы. Показано, что максимальная квантовая эффективность фотокаталитического разложения воды при комнатной температуре для фотокатода из Ag-AgI составляет 1.9 %, а для фотокатода из Cu-CuI - 1.2 %. Эффективность экспоненциально растет при увеличении температуры. Ключевые слова: серебро, медь, иодид, морская вода, фотокатализ, разложение воды.
- C.G. Morales-Guio, S.D. Tilley, H. Vrubel, M. Gratzel, X. Hu, Nat. Commun., 5, 3059 (2014). DOI: 10.1038/ncomms4059
- M.G. Walter, E.L. Warren, J.R. McKone, S.W. Boettcher, Q. Mi, E.A. Santori, N.S. Lewi, Chem. Rev., 110, 6446 (2010). DOI: 10.1021/cr1002326
- Y. Ben-Shahar, F. Scotognella, I. Kriegel, L. Moretti, G. Cerullo, E. Rabani, U. Banin, Nat. Commun., 7, 10413 (2016). DOI: 10.1038/ncomms10413
- J. Gan, X. Lu, Y. Ton, Nanoscale, 6, 7142 (2014). DOI: 10.1039/c4nr01181c
- A.N. Koya, X. Zhu, N. Ohannesian, A.A. Yanik, A. Alabastri, R.P. Zaccaria, R.K.W.-C. Shih, D. Garoli, ACS Nano, 5, 6038 (2021). DOI: 10.1021/acsnano.0c10945
- A.N. Koya, J. Cunha, T.-L. Guo, A. Toma, D. Garoli, T. Wang, S. Juodkazis, D. Cojoc, R.P. Zaccaria, Adv. Opt. Mater., 8, 1901481 (2020). DOI: 10.1002/adom.201901481
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, ФТП, 41 (11), 1281 (2007). [T.V. Blank, Yu.A. Gol'dberg, Semicomductors, 41 (11), 1263 (2007). DOI: 10.1134/S1063782607110012]
- П.А. Безруков, А.В. Нащекин, Н.В. Никоноров, А.И. Сидоров, ФТТ, 64 (8), 1096 (2022). DOI: 10.61011/PJTF.2025.09.60231.20207 [P.A. Bezrukov, A.V. Nashchekin, N.V. Nikonorov, A.I. Sidorov, Phys. Solid State, 64 (8), 1081 (2022). DOI: 10.61011/PJTF.2025.09.60231.20207]
- R. Ron, E. Haleva, A. Salomon, Adv. Mater., 30, 1706755 (2018). DOI: 10.1002/adma.201706755