Вышедшие номера
Горячие углеродные наночастицы в объеме плазмы при плазмохимическом осаждении алмазных пленок
Кириллов Е.А.1,2, Минаков П.В. 1, Лопаев Д.В. 1, Рахимов А.Т. 1,2
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: GoGoZeppeli20@yandex.ru
Поступила в редакцию: 16 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 20 декабря 2024 г.
Принята к печати: 16 января 2025 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2025 г.

Показано, что возникновение непрерывного планковского спектра в эмиссионном спектре СВЧ-плазмы (при плазмохимическом осаждении алмазных пленок) может быть связано с образованием углеродных наночастиц в ее объеме. По спектру, зарегистрированному в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн, определена температура этих частиц ~2600±100 K. Полученные результаты указывают на возможность существования углеродных наночастиц в горячей зоне плазмы. Ключевые слова: CVD-алмаз, плазмохимическое осаждение, углеродные наночастицы, спектроскопия плазмы.
  1. R.S. Balmer, J.R. Brandon, S.L. Clewes, H.K. Dhillon, J.M. Dodson, I. Friel, P.N. Inglis, T.D. Madgwick, M.L. Markham, T.P. Mollart, N. Perkins, G.A. Scarsbrook, D.J. Twitchen, A.J. Whitehead, J.J. Wilman, S.M. Woollard, J. Phys.: Condens. Matter, 21 (36), 364221 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364221
  2. J.E. Butler, R.L. Woodin, L.M. Brown, P. Fallon, Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, 342, 1664 (1993). DOI: 10.1098/rsta.1993.0015
  3. L. Vandenbulcke, P. Bou, G. Moreau, J. Electrochem. Soc., 138 (10), 2985 (1991). DOI: 10.1149/1.2085353
  4. F. Silva, K. Hassouni, X. Bonnin, A. Gicquel, J. Phys.: Condens. Matter, 21 (36), 364202 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364202
  5. A. Gicquel, F. Silva, C. Rond, N. Derkaoui, O. Brinza, J. Achard, G. Lombardi, A. Tallaire, A. Michau, M. Wartel, K. Hassouni, Compr. Hard Mater., 3, 217 (2014). DOI: 10.1016/B978-0-08-096527-7.00047-7
  6. M.A. Elliott, P.W. May, J. Petherbridge, S.M. Leeds, M.N.R. Ashfold, W.N. Wang, Diam. Rel. Mater., 9 (3-6), 311 (2000). DOI: 10.1016/S0925-9635(99)00196-X
  7. J. Ma, M.N.R. Ashfold, Y.A. Mankelevich, J. Appl. Phys., 105 (4), 043302 (2009). DOI: 10.1063/1.3078032
  8. Y. Abe, F. Tappero, Y. Tanaka, Y. Takagi, G. Maizza, Microgr. Sci. Technol., 18 (3-4), 178 (2006). DOI: 10.1007/BF02870405
  9. K. W. Hemawan, R. J. Hemley, J. Vac. Sci. Technol., 33 (6), 061302 (2015). DOI: 10.1116/1.4928031
  10. F. Zhang, Y. Zhang, Y. Yang, G. Chen, X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 57 (14), 1467 (1990). DOI: 10.1063/1.103368
  11. K. Yao, B. Dai, V. Ralchenko, G. Shu, J. Zhao, K. Liu, Z. Yang, L. Yang, J. Han, J. Zhu, Diam. Rel. Mater., 82, 33 (2018). DOI: 10.1016/j.diamond.2017.12.020
  12. M. Frenklach, R. Kematick, D. Huang, W. Howard, K.E. Spear, A.W. Phelps, R. Koba, J. Appl. Phys., 66 (1), 395 (1989). DOI: 10.1063/1.343890
  13. J.-D. Jeon, C.J. Park, D.-Y. Kim, N.M. Hwang, J. Cryst. Growth, 213 (1-2), 79 (2000). DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00358-4
  14. K. Hassouni, F. Mohasseb, F. Benedic, G. Lombardi, A. Gicquel, Pure Appl. Chem., 78 (6), 1127 (2006). DOI: 10.1351/pac200678061127