Горячие углеродные наночастицы в объеме плазмы при плазмохимическом осаждении алмазных пленок
Кириллов Е.А.1,2, Минаков П.В.
1, Лопаев Д.В.
1, Рахимов А.Т.
1,2
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия

Email: GoGoZeppeli20@yandex.ru
Поступила в редакцию: 16 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 20 декабря 2024 г.
Принята к печати: 16 января 2025 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2025 г.
Показано, что возникновение непрерывного планковского спектра в эмиссионном спектре СВЧ-плазмы (при плазмохимическом осаждении алмазных пленок) может быть связано с образованием углеродных наночастиц в ее объеме. По спектру, зарегистрированному в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн, определена температура этих частиц ~2600±100 K. Полученные результаты указывают на возможность существования углеродных наночастиц в горячей зоне плазмы. Ключевые слова: CVD-алмаз, плазмохимическое осаждение, углеродные наночастицы, спектроскопия плазмы.
- R.S. Balmer, J.R. Brandon, S.L. Clewes, H.K. Dhillon, J.M. Dodson, I. Friel, P.N. Inglis, T.D. Madgwick, M.L. Markham, T.P. Mollart, N. Perkins, G.A. Scarsbrook, D.J. Twitchen, A.J. Whitehead, J.J. Wilman, S.M. Woollard, J. Phys.: Condens. Matter, 21 (36), 364221 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364221
- J.E. Butler, R.L. Woodin, L.M. Brown, P. Fallon, Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, 342, 1664 (1993). DOI: 10.1098/rsta.1993.0015
- L. Vandenbulcke, P. Bou, G. Moreau, J. Electrochem. Soc., 138 (10), 2985 (1991). DOI: 10.1149/1.2085353
- F. Silva, K. Hassouni, X. Bonnin, A. Gicquel, J. Phys.: Condens. Matter, 21 (36), 364202 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364202
- A. Gicquel, F. Silva, C. Rond, N. Derkaoui, O. Brinza, J. Achard, G. Lombardi, A. Tallaire, A. Michau, M. Wartel, K. Hassouni, Compr. Hard Mater., 3, 217 (2014). DOI: 10.1016/B978-0-08-096527-7.00047-7
- M.A. Elliott, P.W. May, J. Petherbridge, S.M. Leeds, M.N.R. Ashfold, W.N. Wang, Diam. Rel. Mater., 9 (3-6), 311 (2000). DOI: 10.1016/S0925-9635(99)00196-X
- J. Ma, M.N.R. Ashfold, Y.A. Mankelevich, J. Appl. Phys., 105 (4), 043302 (2009). DOI: 10.1063/1.3078032
- Y. Abe, F. Tappero, Y. Tanaka, Y. Takagi, G. Maizza, Microgr. Sci. Technol., 18 (3-4), 178 (2006). DOI: 10.1007/BF02870405
- K. W. Hemawan, R. J. Hemley, J. Vac. Sci. Technol., 33 (6), 061302 (2015). DOI: 10.1116/1.4928031
- F. Zhang, Y. Zhang, Y. Yang, G. Chen, X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 57 (14), 1467 (1990). DOI: 10.1063/1.103368
- K. Yao, B. Dai, V. Ralchenko, G. Shu, J. Zhao, K. Liu, Z. Yang, L. Yang, J. Han, J. Zhu, Diam. Rel. Mater., 82, 33 (2018). DOI: 10.1016/j.diamond.2017.12.020
- M. Frenklach, R. Kematick, D. Huang, W. Howard, K.E. Spear, A.W. Phelps, R. Koba, J. Appl. Phys., 66 (1), 395 (1989). DOI: 10.1063/1.343890
- J.-D. Jeon, C.J. Park, D.-Y. Kim, N.M. Hwang, J. Cryst. Growth, 213 (1-2), 79 (2000). DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00358-4
- K. Hassouni, F. Mohasseb, F. Benedic, G. Lombardi, A. Gicquel, Pure Appl. Chem., 78 (6), 1127 (2006). DOI: 10.1351/pac200678061127