Издателям
Вышедшие номера
Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInS2 и TlGaS2
Шелег А.У.1, Гуртовой В.Г.1, Шевцова В.В.1, Мустафаева С.Н.2, Керимова Э.М.2
1НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия
2Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: hurtavy@physics.by
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследованы зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности монокристаллов TlInS2 и TlGaS2 от температуры и дозы облучения электронным пучком. Установлено, что облучение электронами с ростом дозы приводит к значительному увеличению значений удельной электропроводности sigma и уменьшению диэлектрической проницаемости varepsilon во всей исследованной области температур (80-320 K). Показано, что на температурных зависимостях sigma=f(T) и varepsilon=f(T) в областях характерных для TlInS2 фазовых переходов наблюдаются аномалии в виде максимумов. Облучение кристаллов TlInS2 и TlGaS2 электронами дозой 1015 и 1016 cm-2 не приводит к изменению температур фазовых переходов в них. Построены дисперсионные кривые диэлектрической проницаемости varepsilon кристалла TlGaS2.
  • О.З. Алекперов, А.И. Наджафов. Неорган. материалы 40, 12, 1423 (2004)
  • О.З. Алекперов, А.И. Наджафов. Неорган. материалы 45, 1, 9 (2009)
  • С.Б. Вахрушев, В.В. Жданова, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, Р.А. Алиев, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 6, 245 (1984)
  • А.У. Шелег, О.Б. Плющ, В.А. Алиев. ФТТ 36, 1, 245 (1994)
  • И.В. Алексеев. ПТЭ 3, 9 (2008)
  • А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, К.Р. Аллахвердиев, Р.М. Сардарлы. ФТТ 25, 3583 (1983)
  • Б.Р. Гаджиев, Мир-Гасан Ю. Сеидов, В.Р. Абдурахманов. ФТТ 38, 1, 3 (1996)
  • Р.А. Сулейманов, М.Ю. Сеидов, Ф.М. Салаев, Ф.А. Микаилов. ФТТ 35, 2, 348 (1993)
  • E. Senturk, L. Tumbek, F.A. Mikailov, F. Salehli. Cryst. Res. Technol. 42, 6, 626 (2007)
  • F.A. Mikailov. Cryst. Res. Technol. 44, 1, 82 (2009)
  • A.M. Panich. J. Phys.: Cond. Matter 20, 1 (2008)
  • Е.С. Крупников, Г.И. Абуталыбов. ФТТ 34, 9, 2964 (1992)
  • С.Г. Абдулаева, А.М. Абдулаев, К.К. Мамедов, Н.Г. Мамедов. ФТТ 26, 2, 618 (1984)
  • А.У. Мальгасов, Б.С. Кульбужев, Б.М. Хамхоев. Неорган. материалы 25, 2, 216 (1989)
  • Р.А. Алиев, К.Р. Аллахвердиев, А.И. Баранов, Н.Р. Иванов, Р.М. Сардалы. ФТТ 26, 5, 1271 (1984)
  • M. Acikgo. Turk. J. Phys. 32, 145 (2008)
  • Е.В. Пешиков. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Фан, Ташкент (1986). 138 с
  • A. Kato, M. Nishigaki, N. Mamedov, M. Yamazaki, S. Abdullayeva, E. Kerimova, H. Uchiki, S. Iida. J. Phys. Chem. Solids 64, 1713 (2003)
  • С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ 51, 11, 2140 (2009)
  • А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 45, 1, 68 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.