Издателям
Вышедшие номера
Облучение нанокристаллов германия реакторными нейтронами
Shlimak Issai1, Levy Shai1, Lu Tiecheng2, Ионов А.Н.3
1Department of Physics, Bar-Ilan University, Ramat-Gan, Israel
2Department of Physics, Sichuan University, Chengdu, China
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ishlimak@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Исследовано влияние облучения реакторными нейтронами на структуру нанокристаллов германия, внедренных методом ионной имплантации в аморфную пленку двуокиси кремния. Исследования проводились с помощью методов лазерного рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Облучение образцов большими дозами быстрых реакторных нейтронов привело к разрушению кристаллической структуры и аморфизации части нанокристаллов, однако значительная их часть сохранилась, что обусловливает перспективность этого материала для создания приборов, работающих в экстремальных условиях. Отжиг радиационных дефектов и полное восстановление кристаллической структуры наблюдались при 800oС, однако при этом средние размеры нанокристаллов и их пространственное распределение изменились. Работа частично финансировалась в рамках гранта N 3-405 Министерства науки и технологии Израиля в кооперации с Государственной комиссией науки и технологии Китая, а также кафедрой полупроводниковой технологии Эрик и Шейла Самсон Университета Бар-Илан.
  • Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, Y. Maeda. Appl. Phys. Lett. 61, 2187 (1992)
  • Y. Maeda. Phys. Rev. B 51, 1658 (1995)
  • B.H. Koh, E.W.H. Kan, W.K. Chim, W.K. Choi, D.A. Antoniadis, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys. 97, 124 305 (2005)
  • C.J. Park, H.Y. Cho, S. Kim, S.-H. Choi, R.G. Elliman, J.H. Han, C. Kim, H.N. Hwang, C.C. Hwang. J. Appl. Phys. 99, 36 101 (2006)
  • T.H. Ng, W.K. Chim, W.K. Chim, W.K. Choi. Appl. Phys. Lett. 88, 113 112 (2006)
  • M. Kanoun, A. Souifi, T. Baron, F. Mazen. Appl. Phys. Lett. 84, 5079 (2004)
  • X.B. Lu, P.F. Lee, J.Y. Dai. Appl. Phys. Lett. 86, 203 111 (2005)
  • Neutron transmutation doping in semiconductors / Ed. J.M. Meese. Plenum Press, N.Y.--London (1979); И.С. Шлимак. ФТТ 41, 794 (1999)
  • I. Shlimak, A.N. Ionov, R. Rentzsch, J.M. Lazebnik. Semicond. Sci. Technol. 11, 1826 (1996)
  • G.C. Messenger, M.S. Ash. The effect of radiation on electronic systems. 2nd ed. Van Nostrand Reinhold, N.Y. (1992)
  • Y. Hu, T. Lu, S. Dun, N. Huang, S. Zhang, B. Tang, J.Dai, L. Resnick, I. Shlimak, S Zhu, Q. Wei, L. Wang. Solid State Commun. 141, 514 (2007)
  • Q. Chen, T. Lu, M. Xu, C. Meng, Y. Hu, K. Sun, I. Shlimak. Appl. Phys. Lett. 98, 073 103 (2011)
  • J.F. Zigler. http://www.srim.org/index.htm (copyright 1984-2006)
  • I.D. Sharp, D.O. Yi, Q. Xu, C.Y. Liao, J.W. Beeman, Z. Liliental-Weber, K.M. Yu, D. N. Zakharov, J.W. Ager, D.C. Chrzan, E.E. Haller. Appl. Phys. Lett. 86, 063 107 (2005)
  • H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Solid State Commun. 39, 625 (1981)
  • S. Levy, I. Shlimak, D.H. Dressler, J. Grinblat, Y. Gofer, T. Lu, A. Ionov, Nanomater. Nanotechnol. 1, 52 (2011)
  • S. Dun, T. Lu, Y. Hu, Q. Hu, L. Yu, Z. Li, N. Huang, S. Zhang, B. Tang, J. Dai, L. Resnick, I. Shlimak. J. Lumin. 128, 1363 (2008)
  • Y. Hu, T. Lu, S. Dun, Q. Hu, C. You, Q. Chen, N. Huang, L. Resnick, I. Shlimak, K. Sun, W. Xu. Scripta Mater. 61, 970 (2009)
  • A.K. Dutta, Appl. Phys. Lett. 68, 1189 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.