Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2012, выпуск 11 » Статья стр. 2068
<<<>>>
Облучение нанокристаллов германия реакторными нейтронами
Shlimak Issai1, Levy Shai1, Lu Tiecheng2, Ионов А.Н.3
1Department of Physics, Bar-Ilan University, Ramat-Gan, Israel
2Department of Physics, Sichuan University, Chengdu, China
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ishlimak@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
PDF версия
Исследовано влияние облучения реакторными нейтронами на структуру нанокристаллов германия, внедренных методом ионной имплантации в аморфную пленку двуокиси кремния. Исследования проводились с помощью методов лазерного рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Облучение образцов большими дозами быстрых реакторных нейтронов привело к разрушению кристаллической структуры и аморфизации части нанокристаллов, однако значительная их часть сохранилась, что обусловливает перспективность этого материала для создания приборов, работающих в экстремальных условиях. Отжиг радиационных дефектов и полное восстановление кристаллической структуры наблюдались при 800oС, однако при этом средние размеры нанокристаллов и их пространственное распределение изменились. Работа частично финансировалась в рамках гранта N 3-405 Министерства науки и технологии Израиля в кооперации с Государственной комиссией науки и технологии Китая, а также кафедрой полупроводниковой технологии Эрик и Шейла Самсон Университета Бар-Илан.
  1. Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, Y. Maeda. Appl. Phys. Lett. 61, 2187 (1992)
  2. Y. Maeda. Phys. Rev. B 51, 1658 (1995)
  3. B.H. Koh, E.W.H. Kan, W.K. Chim, W.K. Choi, D.A. Antoniadis, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys. 97, 124 305 (2005)
  4. C.J. Park, H.Y. Cho, S. Kim, S.-H. Choi, R.G. Elliman, J.H. Han, C. Kim, H.N. Hwang, C.C. Hwang. J. Appl. Phys. 99, 36 101 (2006)
  5. T.H. Ng, W.K. Chim, W.K. Chim, W.K. Choi. Appl. Phys. Lett. 88, 113 112 (2006)
  6. M. Kanoun, A. Souifi, T. Baron, F. Mazen. Appl. Phys. Lett. 84, 5079 (2004)
  7. X.B. Lu, P.F. Lee, J.Y. Dai. Appl. Phys. Lett. 86, 203 111 (2005)
  8. Neutron transmutation doping in semiconductors / Ed. J.M. Meese. Plenum Press, N.Y.--London (1979); И.С. Шлимак. ФТТ 41, 794 (1999)
  9. I. Shlimak, A.N. Ionov, R. Rentzsch, J.M. Lazebnik. Semicond. Sci. Technol. 11, 1826 (1996)
  10. G.C. Messenger, M.S. Ash. The effect of radiation on electronic systems. 2nd ed. Van Nostrand Reinhold, N.Y. (1992)
  11. Y. Hu, T. Lu, S. Dun, N. Huang, S. Zhang, B. Tang, J.Dai, L. Resnick, I. Shlimak, S Zhu, Q. Wei, L. Wang. Solid State Commun. 141, 514 (2007)
  12. Q. Chen, T. Lu, M. Xu, C. Meng, Y. Hu, K. Sun, I. Shlimak. Appl. Phys. Lett. 98, 073 103 (2011)
  13. J.F. Zigler. http://www.srim.org/index.htm (copyright 1984-2006)
  14. I.D. Sharp, D.O. Yi, Q. Xu, C.Y. Liao, J.W. Beeman, Z. Liliental-Weber, K.M. Yu, D. N. Zakharov, J.W. Ager, D.C. Chrzan, E.E. Haller. Appl. Phys. Lett. 86, 063 107 (2005)
  15. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Solid State Commun. 39, 625 (1981)
  16. S. Levy, I. Shlimak, D.H. Dressler, J. Grinblat, Y. Gofer, T. Lu, A. Ionov, Nanomater. Nanotechnol. 1, 52 (2011)
  17. S. Dun, T. Lu, Y. Hu, Q. Hu, L. Yu, Z. Li, N. Huang, S. Zhang, B. Tang, J. Dai, L. Resnick, I. Shlimak. J. Lumin. 128, 1363 (2008)
  18. Y. Hu, T. Lu, S. Dun, Q. Hu, C. You, Q. Chen, N. Huang, L. Resnick, I. Shlimak, K. Sun, W. Xu. Scripta Mater. 61, 970 (2009)
  19. A.K. Dutta, Appl. Phys. Lett. 68, 1189 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme