"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние объемного заряда эмиттированных электронов на полевую электронную эмиссию
Павлов В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vpavlov@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Показано, что обычно применяемый метод подстановки вычисленной с помощью уравнения Пуассона напряженности поля на границе объемного заряда с эмиттером в формулу Фаулера-Нордгейма приводит к значительному завышению влияния объемного заряда на полевую электронную эмиссию. Зависимость ослабления поля объемным зарядом от плотности эмиссионного тока и радиуса кривизна поверхности эмиттера определяется с использованием модели плоского слоя объемного заряда. Утверждается, что модель сферического диода для полевой электронной эмиссии непригодна из-за введения несуществующего в реальных условиях объемного заряда с обратной стороны от эмиттирующей поверхности. Обосновывается необходимость учитывать дискретность зарядов при рассмотрении объемного заряда в полевой электронной эмиссии, поскольку среднее расстояние между эмиттированными электронами значительно превышает ширину эмиссионного барьера.
  • Forbes R.G. // Sol. St. Electron. 2001. Vol. 45. P. 779--808
  • Guillorn M.A., Yang X., Melechko A.V. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2004. Vol. 22. Iss. 1. P. 35--39
  • Spindt C.A. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. P. 3504--3505
  • Ненакаливаемые катоды / Под ред. М.И. Елинсона. М.: Сов. радио, 1974. 336 с
  • Anderson W.A. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1993. Vol. 11. P. 383--386
  • Lau Y.Y., Liu Y., Parker R.K. // Phys. Plasmas. 1994. Vol. 1. N 1. P. 2082--2085
  • Van Veen G.N.A. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. Vol. 12. N 2. P. 655--661
  • Батраков А.В., Пегель И.В., Проскуровский Д.И. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 11. С. 78--82
  • Morris D., Gilchrist B., Gallimore A. // AIP Conf. Proc. 2001. Vol. 552. P. 467--472
  • Rabinovich A. // Surf. Sci. 1978. Vol. 70. P. 181--185
  • Forbes R.G. // Technical Digest. 9-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Vac. Microelectronics Conf. (ISBN 5-86072-081-5). St.Petersburg: Bonch-Bruevich University of Telecommunications, 1996. P. 58--64
  • Fursey G.N. and Glazanov D.V. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1998. Vol. 16. P. 910--915
  • Modinos A. // Sol. St. Electron. 2001. Vol. 45. P. 809--816
  • Yuasa K., Shimoi A., Ohba I., Oshima Ch. // Surf. Sci. 2002. Vol. 520. P. 18--28
  • Jensen K.L., Zaidman E.G., Kodis M.A. // AIP Conf. Proc. 1997. Vol. 391. Issue 1. P. 95--100
  • Павлов В.Г., Рабинович А.А., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1975. Т. 45. Вып. 10. С. 2126--2134
  • Fursey G.N., Baskin L.M., Glasanov D.V. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1998. Vol. 16. P. 232--237
  • Stern T.E., Gossling B.S., Fowler R.H. // Roy. Soc. Proc. A. 1929. Vol. 124. P. 699--723
  • Dyke W.P., Trolan J.K. // Phys. Rev. 1953. Vol. 89. N 4. P. 799--807.
  • Barbour J.P., Dolan W.W., Trolan J.K. et al. // Phys. Rev. 1953. Vol. 92. N 1. P. 45--51
  • Liu S., Dougal R.A. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. N 10. P. 5919--5925
  • Айзенберг Н.Б. // ЖТФ. 1954. Т. 24. Вып. 11. С. 2079--2082
  • Компанеец А.С. // ДАН СССР. 1959. Т. 128. N 6. С. 1160--1162
  • Горьков В.А., Елинсон М.И., Сандомирский В.Б. // РиЭ. 1962. N 7. С. 1495--1500
  • Айзенберг Н.Б. // РиЭ. 1964. N 12. С. 2147--2155
  • Child C.D. // Phys. Rev. 1911. Vol. 31. P. 492--511
  • Langmuir I. // Phys. Rev. 1913. Vol. 2. P. 450--486
  • Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с
  • Jarupoonphol W., Murakami K., Sakata K. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. Vol. 21. P. 1598--1601
  • Nagaoka K., Fujii H., Matsuda K. et al. // Appl. Surf. Sci. 2001. Vol. 182. P. 12--19
  • Lewis C.D. // Phys. Rev. 1956. Vol. 101. N 6. P. 1694--1698,
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.