Петров М.И., Балаев Д.А., Белозерова И.Л., Попков С.И., Дубровский А.А., Шайхутдинов К.А., Мартьянов О.Н.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Синтезированы поликристаллические ВТСП Bi1.8Pb0.3Sr1.9Ca2Cu3Ox низкой плотности, обладающие микроструктурой пены, и композиты, состоящие из вышеуказанного ВТСП и серебра (20, 25, 30% vol). Исследованы микроструктура, температурные и полевые зависимости намагниченности M(T) и M(H) полученных материалов. Обнаружено, что в пористых ВТСП Bi1.8Pb0.3Sr1.9Ca2Cu3Ox и композитах Bi1.8Pb0.3Sr1.9Ca2Cu3Ox+Ag происходит усиление диамагнитного отклика и экранирующих свойств по сравнению с поликристаллическим ВТСП того же состава, приготовленного по стандартной технологии. Наблюдаемый эффект объясняется особенностями проникновения магнитного потока в пористую среду. PACS: 74.62.Bf, 74.72.Hs, 75.60.Ej
Chen I.-G., Hsu J.-Ch., Janm G. // Chinese J. of Phys. 1998. Vol. 36. P. 420-428
Петров М.И., Балаев Д.А., Шайхутдинов К.А., Попков С.И., Тетюева Т.Н., Овчинников С.Г. Способ получения пористой высокотемпературной сверхпроводящей керамики на основе висмута. Патент РФ RU2261233
Балаев Д.А., Белозерова И.Л., Гохфельд Д.М. и др. // ФТТ. 2006. Т. 48. Вып. 2. С. 193-198
Shaykhutdinov K.A., Balaev D.A., Popkov S.I. et al. // Supercond. Sci. Technol. 2007. Vol. 20. P. 491-494
Казин П.Е., Третьяков Ю.Д. // Успехи химии. 2003. Т. 72. N 10. С. 960-977
Козаков А.Т., Клевцов А.Н., Шевцова С.И., Разумовская О.Н. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. Вып. 23. С. 59-64
Кравченко В.С., Журавлева М.А., Усков Е.М. и др. // Неорганические материалы. 1998. Т. 34. N 10. С. 1274-1280
Song K.Y., Lee M.S. // Supercond. Sci. Technol. 2006. Vol. 19. P. 1253-1258
Малоземофф А.П. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников / Под ред. Д.М. Гинзберга. М.: Мир, 1990. С. 87
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук