Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2018, выпуск 12 » Статья стр. 752
<<<>>>
Исследование нанокристаллов CsPbBr3 и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии
DOI: 10.21883/OS.2018.12.46934.241-18
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18120044
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-32-50107
Дементьев П.А. 1, Дунаевский М.С. 1, Матюшкин Л.Б. 2, Нежданов А.В. 3, Смирнов А.Н. 1, Филатов Д.О. 3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: demenp@yandex.ru
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
PDF версия
С помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии выполнено исследование электрических, пьезоэлектрических и оптических свойств нанокристаллов CsPbBr3, полученных методом коллоидного синтеза. Установлено, что нанокристаллы CsPbBr3 обладают кубической формой и размером грани около 10 nm. При осаждении на подложку эти нанокристаллы собираются в ограненные агломераты размером до нескольких сотен нанометров. Показано, что в спектрах фотолюминесценции, кроме основной узкой линии краевой люминесценции (2.47 eV), присутствуют также и две дополнительные широкие "дефектные" линии, которые находятся на 40 и 200 meV ниже основной. Установлено, что агломераты нанокристаллов обладают небольшим значением поверхностного потенциала (~ 20-30 mV) и содержат небольшое количество зарядов. Показано, что значение пьезомодуля d33 на агломератах CsPbBr3 НК не превышает 1 pm/V. -18
  1. Jeon N.J., Noh J.H., Kim Y.C., Yang W.S., Ryu S., Seok S.I. // Nat. Mater. 2014. V. 13. P. 897--903. doi 10.1038/NMAT4014
  2. Li D., Liao P., Shai X., Huang W., Liu S., Li H., Shena Y., Wang M. // RSC Adv. 2016. V. 6. P. 89356--89366. doi 10.1039/C6RA19801E
  3. Tan Z.-K., Moghaddam R.S., Lai M.L., Docampo P., Higler R., Deschler F., Price M., Sadhanala A., Pazos L.M., Credgington D., Hanusch F., Bein T., Snaith H.J., Friend R.H. // Nat. Nanotechnol. 2014. V. 9. P. 687--692. doi 10.1038/NNANO.2014.149
  4. Ling Y., Yuan Z., Tian Y., Wang X., Wang J.C., Xin Y., Hanson K., Ma B., Gao H. // Adv. Mater. 2016. V. 28. P. 305--311. doi 10.1002/adma.201503954
  5. Dou L., Yang Y.M., You J., Hong Z., Chang W.-H., Li G., Yang Y. // Nat. Commun. 2014. V. 5. P. 5404. doi 10.1038/ncomms6404
  6. Su L., Zhao Z.X., Li H.Y., Yuan J., Wang Z.L., Cao G.Z., Zhu G. // ACS Nano. 2015. V. 9. P. 11310-11316. doi 10.1021/acsnano.5b04995
  7. Xing G., Mathews N., Lim S.S., Yantara N., Liu X., Sabba D., Gratzel M., Mhaisalkar S., Sum T.C. // Nat. Mater. 2014. V. 13. P. 476--480. doi 10.1038/nmat3911
  8. Fu Y., Zhu H., Stoumpos C.C., Ding Q., Wang J., Kanatzidis M.G., Zhu X., Jin S. // ACS Nano. 2016. V. 10. P. 7963--7972. doi 10.1021/acsnano.6b03916
  9. Protesescu L., Yakunin S., Bodnarchuk M.I., Krieg F., Caputo R., Hendon C.H., Yang R.X., Walsh A., Kovalenko M.V. // Nano Lett. 2015. V. 15. P. 3692--3696. doi 10.1021/nl5048779
  10. Nedelcu G., Protesescu L., Yakunin S., Bodnarchuk M.I., Grotevent M.J., Kovalenko M.V. // Nano Lett. 2015. V. 15. P. 5635-5640. doi10.1021/acs.nanolett.5b02404
  11. Du X., Wu G., Cheng J., Dang H., Ma K., Zhang Y.-W., Tan P.-F., Chen S. // RSC Adv. 2017. V. 7. P. 10391--10396. doi 10.1039/C6RA27665B
  12. Matyushkin L.B., Moshnikov V.A. // Semiconductors. 2017. V. 51. P. 1337-1342. doi 10.1134/S106378261710013X
  13. Posudievsky O.Yu., Konoshchuk N.V., Karbivskyy V.L., Boiko O.P., Koshechko V.G. , Pokhodenko V.D. // Theor. Exp. Chem. 2017. V. 53. N 4. P. 235--243. doi 10.1007/s11237-017-9520-z
  14. Stoumpos C.C., Malliakas C.D., Peters J.A., Liu Z., Sebastian M., Im J., Chasapis T.C., Wibowo A.C., Chung D.Y., Freeman A.J., Wessels B.W., Kanatzidis M.G. // Cryst. Growth Des. 2013. V. 13. P. 2722--2727. doi 10.1021/cg400645t
  15. Kang J., Wang L.-W. // J. Phys. Chem. Lett. 2017. V. 8. N 2. P. 489-493. doi 10.1021/acs.jpclett.6b02800
  16. Ravi V.K., Swarnkar A., Chakraborty R., Nag A. // Nanotechnol. 2016. V. 27. P. 325708. doi 10.1088/0957-4484/27/32/325708
  17. Dey A., Rathod P., Kabra D. // Adv. Optical Mater. 2018. V. 6. P. 1800109. doi 10.1002/adom.201800109
  18. He J., Guo M., Long R. // J. Phys. Chem. Lett. 2018. V. 9. N 11. P. 3021--3028. doi 10.1021/acs.jpclett.8b01266
  19. Ankudinov A.V., Titkov A.N. // Phys. Sol. State. 2005. V. 47. N 6. P. 1148--1155. doi 10.1134/1.1946871
  20. Song J., Xiao Z., Chen B., Prockish S., Chen X., Rajapitamahuni A., Zhang L., Huang J., Hong X. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018. V. 10. P. 19218--19225. doi 10.1021/acsami.8b03403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme