Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ионов In³⁺ и Ga³⁺ на запрещенную зону кристаллов щелочно-земельных фторидов: неэмпирический расчет

DOI: 10.21883/OS.2019.04.47511.331-18

Переводная версия: 10.1134/S0030400X19040167

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов 2018 года фундаментальных научных исследований, выполняемых молодыми учеными , 18-32-00298_мол_а

Мясникова А.С. ¹, Богданов А.И.^1,2

¹Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук, Иркутск, Россия Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Irkutsk, Russia

Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Irkutsk, Russia

²Иркутский национальный исследовательский технический университет, Иркутск, Россия Irkutsk National Research Technical University, Irkutsk, Russia

Irkutsk National Research Technical University, Irkutsk, Russia

Email: sasham@igc.irk.ru

Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты неэмпирических квантово-химических расчетов кристаллов CaF₂, SrF₂ и BaF₂, активированных ионами In³⁺ и Ga³⁺. Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности с использованием программного комплекса VASP. Проведена оценка ширины запрещенной зоны бездефектных кристаллов разными методами, оценка влияния примесных ионов на ширину запрещенной зоны, а также исследована возможность избавления от неглубоких ловушек путем введения примеси индия или галлия. -18

Rodnyi P.A. Physical processes in inorganic scintillators. V. 14. CRC press, 1997
Shendrik R., Radzhabov E.A., Nepomnyashchikh A.I. // Rad. meas. 2013. V. 56. Р. 58
Zorenko Yu. et al. // J. Lumin. 2005. V. 114. Р. 85
Nikl M. // Phys. Status Solidi A. 2000. V. 178. Р. 595
Fasoli M. // Phys. Rew. B. 2011. V. 84. Р. 081102(R)
Khodyuk I.V., Messina S.A., Hayden T.J., Bourret E.D., Bizarri G.A. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. N 8. Р. 084901
Alekhin M.S., Biner D.A., Kramer K.W., Dorenbos P. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. N 22. P. 224904
Guss P., Foster M.E., Wong B.M., Doty F.P., Shah K., Squillante M.R., Shirwadkar U., Hawrami P., Tower J., Yuan D. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 034908
Yang K., Menge P.R. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. P. 213106
Shendrik R., Radzhabov E. // IEEE TNS. 2012. V. 59. N 5. P. 2089
Kresse G., Hafner J. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P. 558
HPC-cluster "Akademik V.M. Matrosov". Режим доступа: https://hpc.icc.ru/en/hardware/
ISCD FIZ Karlsruhe, режим доступа: http://www2.fiz-karlsruhe.de/icsd\_web.html
Perdew J.P., Ruzsinszky A., Csonka G.I., Vydrov O.A., Scuseria G.E., Constantin L.A., Burke K. // Phys. Rev. Lett. 2008. V. 100. N 13. P. 136406
Paier J., Marsman M., Hummer K., Kresse G., Gerber I.C., Angyan J.G. // J. Chem. Phys. 2006. V. 124. N 15. P. 154709
Shishkin M., Kresse G. // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. P. 235102
Fuchs F., Furthmuller J., Bechstedt F., Shishkin M., Kresse G. // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. P. 115109-1-8
Lee J., Seko A., Shitara K., Nakayama K., Tanaka I. // Phys. Rev. B. 2016. V. 93. P. 115104
Cadelano E., Cappellini G. // The European Physical Journal B. 2011. V. 81. N 1. P. 115
Rubloff G.W. // Phys. Rev. B. 1972. V. 5. P. 662
Shannon R.D., Prewitt C.T. // Acta Cryst. 1969. V. B25. P. 925

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель