Структура и оптические характеристики пленок ниобатов бария-стронция на подложках Al2O3
Павленко А.В.1,2, Кара-Мурза С.В.3, Корчикова А.П.3, Тихий А.А.3, Стрюков Д.В.1, Ковтун Н.В.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
3Луганский национальный университет им. Тараса Шевченко, Луганск, Украина
Email: Antvpr@mail.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.
Проведены исследования структуры и оптических характеристик тонких пленок сегнетоэлектрика-релаксора Ba0.5Sr0.5Nb2O6, выращенных методом высокочастотного RF-напыления в атмосфере кислорода на подложке Al2O3 (c-срез). Рентгеноструктурные исследования показали, что пленки Ba0.5Sr0.5Nb2O6 являются c-ориентированными, параметр c элементарной ячейки составил 3.948(1) Angstrem. Эллипсометрическими измерениями подтверждено, что пленки SBN-50 характеризуются естественным направлением роста, которое совпадает с направлением оптической оси кристалла. Анализ результатов эллипсометрических измерений показал отсутствие переходного слоя на границе пленка-подложка; толщина нарушенного слоя на свободной поверхности пленки 7.5 nm, коэффициент объемного заполнения оценивается как 0.625. -18
- Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат, 2011. 175 с
- Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.: Атомиздат, 1972. 248 с
- Мухортов В.М., Головко Ю.И., Бирюков С.В., Анохин А.С., Юзюк Ю.И. // ЖТФ. 2016. Т. 86. N 1. С. 93--98; Mukhortov V.M., Golovko Yu.I., Biryukov S.V., Anokhin A., Yuzyuk Yu.I. // Techn. Phys. 2016. V. 61. N 1. P. 91. doi 10.1134/S106378421601014X
- Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. 400 с
- Koo J., Kang E., Bae B. // J. Korean Physical Society. 2003. V. 42. P. S1161
- Ковтун А.П., Зинченко С.П., Павленко А.В., Толмачев Г.Н. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. N 11. С. 48; Kovtun A.P., Zinchenko S.P., Pavlenko A.V., Tolmachev G.N. // Techn. Phys. Lett. 2016. V. 42. N 6. P. 577. doi 10.1134/S1063785016060109
- Толмачев Г.Н., Ковтун А.П., Захарченко И.Н., Алиев И.М., Павленко А.В., Резниченко Л.А., Вербенко И.А. // ФТТ. 2015. Т. 57. N 10. С. 2050; Tolmachev G.N., Kovtun A.P., Zakharchenko I.N., Aliev I.M., Pavlenko A.V., Reznichenko L.A., Verbenko I.A. // Phys. Solid State. 2015. V. 57. N 10. P. 2106. doi 10.1134/S1063783415100339
- Павленко А.В., Захарченко И.Н., Анохин А.С., Куприна Ю.А., Кисeлева Л.И., Юзюк Ю.И. // ФТТ. 2017. Т. 59. N 5. С. 888--891; Pavlenko A.V., Zakharchenko I.N., Anokhin A.S., Kuprina Yu.A., Kiseleva L.I., Yuzyuk Yu.I. // Phys. Solid State. 2017. V. 59. N 5. P. 909. doi 10.1134/S1063783417050249
- Грицких В.А., Жихарев И.В., Кара-Мурза С.В., Корчикова Н.В., Николаенко Ю.М., Тихий А.А. // Тр. 7-го Междунар. симп. "Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы". 2017. N 7. С. 53
- Kip D., Aulkemeyer S., Buse K., Mersch F., Pankrath R., Kratzig E. // Phys. Stat. Sol. A. 1996. V. 154. N 2. P. K5. doi 10.1002/pssa.2211540235
- Lenzo P.V., Spencer E.C., Ballman A.A. // Appl. Phys. Lett. 1967. V. 11. N 1. P. 23. doi 10.1063/1.1754944
- Тихий А.А., Грицких В.А., Кара-Мурза С.В., Корчикова Н.В., Николаенко Ю.М., Фарапонов В.В., Жихарев И.В. // Опт. и спектр. 2015. Т. 119. N 2. С. 282; Tikhii A.A., Gritskikh V.A., Kara-Murza S.V., Korchikova N.V., Nikolaenko Yu.M., Faraponov V.V., Zhikharev I.V. // Opt. Spectrosc. 2015. V. 119. N 2. P. 268. doi 10.1134/S0030400X15080238
- Головань Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. // УФН. 2007. Т. 177. N 6. С. 619--638. doi 10.3367/UFNr.0177.200706b.0619; Golovan L.A., Timoshenko V.Yu., Kashkarov P.K. // Phys. Usp. 2007. V. 50. P. 595--612 doi 10.1070/PU2007v050n06ABEH006257
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.