Вышедшие номера
Определение профиля состава квантовых ям HgTe/CdxHg1-xTe методом одноволновой эллипсометрии
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19080253
Швец В.А.1,2, Михайлов Н.Н.1,2, Икусов Д.Г.1, Ужаков И.Н.1, Дворецкий С.А.1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: shvets@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Разработан эллипсометрический метод восстановления профиля состава по толщине в тонких нанослоях гетероструктур, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе соединения кадмий-ртуть-теллур. Метод основан на решении обратной эллипсометрической задачи с заменой части неоднородного слоя однородной средой со специально подобранными оптическими константами. Численное моделирование показало корректность такой замены и эффективность разработанного алгоритма. С помощью данного метода проведено исследование активной области гетероструктуры, состоящей из пяти квантовых ям HgTe, разделенных обкладками широкозонного CdHgTe. Основываясь на результатах непрерывных in situ эллипсометрических измерений, выполненных в процессе роста гетероструктуры, рассчитаны профили состава для всех пяти последовательно выращенных квантовых ям и показана высокая воспроизводимость зависимостей их состава от толщины. Ключевые слова: эллипсометрические параметры, молекулярно-лучевая эпитаксия, профиль состава. -18