Оптика и спектроскопия
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
Тип оптических переходов на краю фундаментального поглощения кристаллов TlGaSe2 и TInS2, подвергнутых γ-облучению
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19090224 
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Email: raufsardarly@rambler.ru, famin-salmanov@rambler.ru, nur.elizade@rambler.ru
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Изучено влияние γ-облучения на оптические свойства слоистых кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в диапазоне длин волн 400-1100 nm при 300 K. Из анализа спектров оптического поглощения определены энергии прямых и непрямых оптических межзонных переходов до и после γ-облучения. Показано, что по мере накопления дозы γ-облучения в области 0-25 Мrad монокристаллами TlGaSe2 и TlInS2 наблюдается рост энергий прямых и непрямых разрешенных оптических переходов от значений Egd=2.06 eV и Egi=1.90 eV при D=0 Мrad, до Egd=2.11 eV и Egi=1.98 eV при D=25 Мrad для кристаллов TlGaSe2 и Egd=2.32 eV и Egi=2.27 eV при D=0 Мrad до Egd=2.35 и Egi=2.32 eV при D=25 Мrad для кристаллов TlInS2. Наблюдается уменьшение коэффициента пропускания при дозах от 0 до 5 Мrad и дальнейший рост коэффициента пропускания при дозе облучения D=25 Мrad. Ключевые слова: слоистые кристаллы, γ-облучение, оптическое поглощение. -18
- Paniсh A.M., Sardarly R.M. // Physical Properties of the Low Dimensional A3B6 and A3B3C62 Compounds. N.Y.: Nova Science Publishers, Inc., 2010. P. 287
- Yee K.A., Albright A. // Am. Chem. Soc. 1991. V. 113. P. 6474
- Hanias M., Anagnostopoulos A., Kambas K., Spiridelis J. // Mater. Res. Bull. 1992. V. 27. P. 25
- Kalomiros J.A., Kalkan N., Hania M., Anagnostopoulos A.N., Kambas K. // Solid State Commun. 1995. V. 96. P. 601
- Gorbulak B., Duman S., Ates A. // Czech. J. Phys. 2005. V. 55. P. 93
- Gasanly N.M. // J. Korean Phys. Soc. 2010. V. 57. P. 164
- Johnsen S., Liu Z., Peters J.A., Song S.J.-H., Peter C., Malliakas C.D., Cho N.K., Jin H., Freeman A.J., Wessels B.W., Kanatzidis M.G. // Chem. Mat. 2011. V. 23. P. 3120
- Sardarly R.M., Samedov O.A., Sadykhov I.S., Mardukhaeva E.I., Gabibov T.A. // Solid State Commun. 1991. V. 77. P. 453
- Borovoi N.A., Gololobov Y.P., Isaenko G.L., Stepanishchev N.B. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. P. 2367
- Orudzhev G., Shim Y., Wakita K., Mamedov N., Jafarova S., Hashimzade F. // Jpn. J. Appl. Phys. 2008. V. 47. P. 8182
- Kashida S., Yanadori Y., Otaki Y., Seki Y., Panich A.M. // Phys. Status Solidi A. 2006. V. 203. P. 2666
- Шелег А.У., Иодковская К.В., Курилович Н.Ф. // ФТТ. 2003. Т. 45. N 1. Р. 68
- Шелег А.У., Гуртовой В.Г., Шевцова В.В., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. // ФТТ. 2012. Т. 54. N 9. Р. 1754
- Мадатов Р.С., Наджафов А.И., Тагиев Т.Б., Газанфаров М.Р., Мехрабова М.А. // ФТТ. 2011. Т. 53. N 11. Р. 2097
- Абдуллаев Г.Б., Абасова А.З., Гаршков А.М., Заитов Ф.А., Стафеев В.И., Салаев Э.Ю., Шаляпина Г.М. // ФТТ. 1982. Т. 16. N 6. Р. 1136
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
