Оптика и спектроскопия
Авторам
Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiOx (x<2)
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19110183 
Кручинин В.Н.1, Перевалов Т.В.1,2, Камаев Г.Н.1, Рыхлицкий С.В.1, Гриценко В.А.1,2,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: vladd.kruch@yandex.ru, kruch@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Исследованы оптические свойства аморфных нестехиометрических пленок оксида кремния SiOx переменного состава (x = 0.62-1.92) в спектральном диапазоне 1.12-4.96 eV, полученных плазмостимулированным химическим осаждением из газовой фазы. Методом спектроэллипсометрии показано, что в зависимости от содержания кислорода в газовой фазе при синтезе образующиеся пленки SiOx по характеру дисперсии показателя преломления могут быть условно отнесены к кремнийподобным пленкам, диэлектрикам и пленкам с промежуточным типом проводимости. Предложена модель структуры SiOx, расчет которой из первых принципов ( ab initio) описывает экспериментальные оптические спектры. Из первых принципов рассчитаны зависимости величины показателя преломления и ширины запрещенной зоны SiOx от параметра стехиометрии x. Ключевые слова: оксид кремния, оптические свойства, эллипсометрия, моделирование ab initio. -19
- Chua L. // Nanotechnology. 2013. V. 24. N 38. P. 383001. doi 10.1088/0957-4484/24/38/383001
- Sahoo S., Prabaharan S.R.S. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2017. V. 17. N 1. P. 72
- James A.P., Fedorova I., Ibrayev T., Kudithipudi D. // IEEE Trans. Biomed. Circuits Syst. 2017. V. 11. N 3. P. 640. doi 10.1109/TBCAS.2016.2641983
- Гриценко В.А. и др. Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах / Под ред. Асеева А.Л., Гриценко В.А. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2011. 158 с
- Jeong D.S., Thomas R., Katiyar R.S., Scott J.F., Kohlstedt H., Petraru A., Hwang C.S. // Rep. Prog. Phys. 2012. V. 75. N 7. P. 076502. doi 10.1088/0034-4885/75/7/076502
- Гриценко В.А., Перевалов Т.В. Физика диэлектрических пленок: Атомная и электронная структура / Отв. ред. Гриценко В.А. Новосибирск: Автограф, 2015. 234 с
- Clark R.D. // Materials. 2014. V. 7. N 4. P. 2913. doi 10.3390/ma7042913
- Wang B., Huang W., Chi L., Al-Hashimi M., Marks T.J., Facchetti A. // Chem. Rev. 2018. V. 118. N 11. P. 5690. doi 10.1021/acs.chemrev.8b00045
- Uppuluri R., Sen Gupta A., Rosas A.S., Mallouk T.E. // Chem. Soc. Rev. 2018. V. 47. N 7. P. 2401. doi 10.1039/c7cs00290d
- Mehonic A., Shluger A.L., Gao D., Valov I., Miranda E., Ielmini D., Bricalli A., Ambrosi E., Li C., Yang J.J., Xia Q., Kenyon A.J. // Adv. Mater. 2018. V. 30. N 43. P. e1801187. doi 10.1002/adma.201801187
- Bell F.G., Ley L. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. N 14. P. 8383
- Ma H.P., Yang J.H., Yang J.G., Zhu L.Y., Huang W., Yuan G.J., Feng J.J., Jen T.C., Lu H.L. // Nanomaterials. 2019. V. 9. N 1. P. 55. doi 10.3390/nano9010055
- Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В., Швец В.А., Прокопьев В.Ю. // Приборы и техника эксперимента. 2012. N 2. С. 161
- Tompkins H.G., Irene E.A. Handbook of Ellipsometry. Norwich: William Andrew Publishing, 2005. 735 p
- Giannozzi P., Andreussi O., Brumme T., Bunau O., Buongiorno Nardelli M., Calandra M., Car R., Cavazzoni C., Ceresoli D., Cococcioni M., Colonna N., Carnimeo I., Dal Corso A., de Gironcoli S., Delugas P., DiStasio R.A., Ferretti A., Floris A., Fratesi G., Fugallo G., Gebauer R., Gerstmann U., Giustino F., Gorni T., Jia J., Kawamura M., Ko H.Y., Kokalj A., Kucukbenli E., Lazzeri M., Marsili M., Marzari N., Mauri F., Nguyen N.L., Nguyen H.V., Otero-de-la-Roza A., Paulatto L., Ponce S., Rocca D., Sabatini R., Santra B., Schlipf M., Seitsonen A.P., Smogunov A., Timrov I., Thonhauser T., Umari P., Vast N., Wu X., Baroni S. // J. Phys.-Condens. Mater. 2017. V. 29. N 46. P. 465901. doi 10.1088/1361-648X/aa8f79
- Kruchinin V.N., Perevalov T.V., Atuchin V.V., Gritsenko V.A., Komonov A.I., Korolkov I.V., Pokrovsky L.D., Shih C.W., Chin A. // J. Electron. Mater. 2017. V. 46. N 10. P. 6089. doi 10.1007/s11664-017-5552-3
- Kruchinin V.N., Volodin V.A., Perevalov T.V., Gerasimova A.K., Aliev V.S., Gritsenko V.A. // Opt. Spectrosc. 2018. V. 124. P. 808. doi 10.1134/S0030400X18060140
- Palik E.D. Handbook of Optical Constants of Solids. San Diego: Academic Press, 1985. Pt 1. 835 p
- Goncharenko A.V. // Phys. Rev. E. Stat. Nonlin. Soft. Matter. Phys. 2003. V. 68. Pt 4. P. 041108. doi 10.1103/PhysRevE.68.041108
- Nasyrov K.A., Shaimeev S.S., Gritsenko V.A., Han J.H. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. N 12. P. 123709. doi 10.1063/1.3151711
- Islamov D.R., Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Orlov O.M., Krasnikov G.Y. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. N 5. P. 052901. doi 10.1063/1.4960156
- Durrani S.M.A., Al-Kuhaili M.F., Khawaja E.E. // J. Phys.-Condens. Mat. 2003. V. 15. P. 8123-8135
- Tomozeiu N. // Optoelectronics --- Materials and Techniques / Ed. by P. Predeep. InTech, 2011. 484 p. http://www.intechopen.com/books/optoelectronics- materials-and-techniques/silicon-oxide-siox-0-x-2-a- challenging-material-for-optoelectronics
- Mao K.N., Shen W.D., Yang C.Y., Fang X., Yuan W.J., Zhang Y.G., Liu X. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 19289. doi 10.1038/srep19289
- Harrison W.A. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 2121
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
