Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 769
<<<>>>
Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiOx (x<2)
DOI: 10.21883/OS.2019.11.48513.136-19
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19110183
Кручинин В.Н.1, Перевалов Т.В.1,2, Камаев Г.Н.1, Рыхлицкий С.В.1, Гриценко В.А.1,2,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: vladd.kruch@yandex.ru, kruch@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Исследованы оптические свойства аморфных нестехиометрических пленок оксида кремния SiOx переменного состава (x = 0.62-1.92) в спектральном диапазоне 1.12-4.96 eV, полученных плазмостимулированным химическим осаждением из газовой фазы. Методом спектроэллипсометрии показано, что в зависимости от содержания кислорода в газовой фазе при синтезе образующиеся пленки SiOx по характеру дисперсии показателя преломления могут быть условно отнесены к кремнийподобным пленкам, диэлектрикам и пленкам с промежуточным типом проводимости. Предложена модель структуры SiOx, расчет которой из первых принципов ( ab initio) описывает экспериментальные оптические спектры. Из первых принципов рассчитаны зависимости величины показателя преломления и ширины запрещенной зоны SiOx от параметра стехиометрии x. Ключевые слова: оксид кремния, оптические свойства, эллипсометрия, моделирование ab initio. -19
  1. Chua L. // Nanotechnology. 2013. V. 24. N 38. P. 383001. doi 10.1088/0957-4484/24/38/383001
  2. Sahoo S., Prabaharan S.R.S. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2017. V. 17. N 1. P. 72
  3. James A.P., Fedorova I., Ibrayev T., Kudithipudi D. // IEEE Trans. Biomed. Circuits Syst. 2017. V. 11. N 3. P. 640. doi 10.1109/TBCAS.2016.2641983
  4. Гриценко В.А. и др. Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах / Под ред. Асеева А.Л., Гриценко В.А. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2011. 158 с
  5. Jeong D.S., Thomas R., Katiyar R.S., Scott J.F., Kohlstedt H., Petraru A., Hwang C.S. // Rep. Prog. Phys. 2012. V. 75. N 7. P. 076502. doi 10.1088/0034-4885/75/7/076502
  6. Гриценко В.А., Перевалов Т.В. Физика диэлектрических пленок: Атомная и электронная структура / Отв. ред. Гриценко В.А. Новосибирск: Автограф, 2015. 234 с
  7. Clark R.D. // Materials. 2014. V. 7. N 4. P. 2913. doi 10.3390/ma7042913
  8. Wang B., Huang W., Chi L., Al-Hashimi M., Marks T.J., Facchetti A. // Chem. Rev. 2018. V. 118. N 11. P. 5690. doi 10.1021/acs.chemrev.8b00045
  9. Uppuluri R., Sen Gupta A., Rosas A.S., Mallouk T.E. // Chem. Soc. Rev. 2018. V. 47. N 7. P. 2401. doi 10.1039/c7cs00290d
  10. Mehonic A., Shluger A.L., Gao D., Valov I., Miranda E., Ielmini D., Bricalli A., Ambrosi E., Li C., Yang J.J., Xia Q., Kenyon A.J. // Adv. Mater. 2018. V. 30. N 43. P. e1801187. doi 10.1002/adma.201801187
  11. Bell F.G., Ley L. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. N 14. P. 8383
  12. Ma H.P., Yang J.H., Yang J.G., Zhu L.Y., Huang W., Yuan G.J., Feng J.J., Jen T.C., Lu H.L. // Nanomaterials. 2019. V. 9. N 1. P. 55. doi 10.3390/nano9010055
  13. Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В., Швец В.А., Прокопьев В.Ю. // Приборы и техника эксперимента. 2012. N 2. С. 161
  14. Tompkins H.G., Irene E.A. Handbook of Ellipsometry. Norwich: William Andrew Publishing, 2005. 735 p
  15. Giannozzi P., Andreussi O., Brumme T., Bunau O., Buongiorno Nardelli M., Calandra M., Car R., Cavazzoni C., Ceresoli D., Cococcioni M., Colonna N., Carnimeo I., Dal Corso A., de Gironcoli S., Delugas P., DiStasio R.A., Ferretti A., Floris A., Fratesi G., Fugallo G., Gebauer R., Gerstmann U., Giustino F., Gorni T., Jia J., Kawamura M., Ko H.Y., Kokalj A., Kucukbenli E., Lazzeri M., Marsili M., Marzari N., Mauri F., Nguyen N.L., Nguyen H.V., Otero-de-la-Roza A., Paulatto L., Ponce S., Rocca D., Sabatini R., Santra B., Schlipf M., Seitsonen A.P., Smogunov A., Timrov I., Thonhauser T., Umari P., Vast N., Wu X., Baroni S. // J. Phys.-Condens. Mater. 2017. V. 29. N 46. P. 465901. doi 10.1088/1361-648X/aa8f79
  16. Kruchinin V.N., Perevalov T.V., Atuchin V.V., Gritsenko V.A., Komonov A.I., Korolkov I.V., Pokrovsky L.D., Shih C.W., Chin A. // J. Electron. Mater. 2017. V. 46. N 10. P. 6089. doi 10.1007/s11664-017-5552-3
  17. Kruchinin V.N., Volodin V.A., Perevalov T.V., Gerasimova A.K., Aliev V.S., Gritsenko V.A. // Opt. Spectrosc. 2018. V. 124. P. 808. doi 10.1134/S0030400X18060140
  18. Palik E.D. Handbook of Optical Constants of Solids. San Diego: Academic Press, 1985. Pt 1. 835 p
  19. Goncharenko A.V. // Phys. Rev. E. Stat. Nonlin. Soft. Matter. Phys. 2003. V. 68. Pt 4. P. 041108. doi 10.1103/PhysRevE.68.041108
  20. Nasyrov K.A., Shaimeev S.S., Gritsenko V.A., Han J.H. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. N 12. P. 123709. doi 10.1063/1.3151711
  21. Islamov D.R., Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Orlov O.M., Krasnikov G.Y. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. N 5. P. 052901. doi 10.1063/1.4960156
  22. Durrani S.M.A., Al-Kuhaili M.F., Khawaja E.E. // J. Phys.-Condens. Mat. 2003. V. 15. P. 8123-8135
  23. Tomozeiu N. // Optoelectronics --- Materials and Techniques / Ed. by P. Predeep. InTech, 2011. 484 p. http://www.intechopen.com/books/optoelectronics- materials-and-techniques/silicon-oxide-siox-0-x-2-a- challenging-material-for-optoelectronics
  24. Mao K.N., Shen W.D., Yang C.Y., Fang X., Yuan W.J., Zhang Y.G., Liu X. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 19289. doi 10.1038/srep19289
  25. Harrison W.A. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 2121

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme