Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2020, выпуск 1 » Статья стр. 110
<<<>>>
Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20-300 K
DOI: 10.21883/OS.2020.01.48846.227-19
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20010208
Министерство науки и высшего образования РФ, 3.9787.2017/8.9
Рыбалко Д.А. 1,2, Надточий А.М. 1, Максимов М.В.1, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dimarybalko91@gmail.com
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
PDF версия
Детально исследована температурная эволюция спектров фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ в зависимости от энергии детектирования в диапазоне 20-300 K в структурах с массивами квантовых точек (КТ) InAs/InGaAs/GaAs. Детальный анализ спектров возбуждения ФЛ позволил идентифицировать пики, соответствующие возбужденным состояниям КТ, вероятность перехода с которых на основное состояние велика в отличие от пиков, вероятность перехода с которых на основное состояние мала, но значительно увеличивается за счет эффективной релаксации носителей с участием LO-фононов. Обнаружено, что характерная для КТ зависимость разности энергий спектрального положения пиков, соответствующих основному и возбужденному состояниям, от энергии основного состояния (т. е. от размера КТ) нарушается при повышении температуры до 140-160 K, при которой происходит активация транспорта носителей заряда между КТ. Ключевые слова: фотолюминесценция, квантовые точки, спектроскопия возбуждения фотолюминесценции.
  1. Арсян Л.В., Сурис Р.А. // ФТП 2004. Т. 38. N 1. С. 3; Asryan L.V., Suris R.A. // Semiconductors. 2004. V. 38. N 1. P. 1
  2. Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. London: Wiley, 1999
  3. Блохин С.А., Сахаров А.В., Надточий А.М., Паюсов А.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Михрин С.С., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Шварц М.З. // ФТП. 2009. Т. 4. N 4. С. 537; Blokhin S.A., Sakharov A.V., Nadtochy A.M., Pauysov A.S., Maximov M.V., Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Mikhrin S.S., Lantratov V.M., Mintairov S.A., Kaluzhniy N.A., Shvarts M.Z. // Semiconductors. 2009. V. 43. N 4. P. 514
  4. Luque A., Marti A. // Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. N 26. P. 5014
  5. Zrenner A., Beham E., Stufler S., Findeis F., Bichler M., Abstreiter G. // Nature. 2002. V. 418. N 8. P. 612
  6. Ustinov V.M., Maleev N.A., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Egorov A.Yu., LunevA.V., Volovik B.V., Krestnikov I.L., Musikhin Yu.G., Bert N.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. N 19. P. 2815
  7. Grundmann M. Nano-optoelectronics: Concepts, Physics and Devices. Berlin, Heidelberg, N.Y.: Springer-Verlag, 2002
  8. Heitz R., Kalburge A., Xie Q., Grudmann M., Chen P., Hoffmann A., Madhukar A., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. N 15. P. 9050
  9. Xie Q., Chen P., Kalburge A., Ramachandran T.R., Nayfonov A., Konkar A., Madhukar A. // J. Crys. Growth. 1995. V. 150. N 1. P. 357
  10. Ware M.E., Stinaff E.A., Gammon D., Doty M.F., Bracker A.S., Gershoni D., Korenev V.L., Badescu S.C., Lyanda-Geller Y., Reinecke T.L. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 177403
  11. Heitz R., Stier O., Mukhametzhanov I., Madhukar A., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. N 16. P. 11017
  12. Heitz R., Veit M., Ledentsov N.N., Hoffmann A., Bimberg D., Ustinov V.M., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. N 16. P. 10435
  13. Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Максимов М.В., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Бимберг Д. // ФТП. 2005. Т. 39. N 10. С. 1230; Kryzhanovskaya N.V., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Maksimov M.V., Semenova E.S., Vasil'ev A.P., Zhukov A.E., Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Bimberg D. // Semiconductors. 2005. V. 39. N 10. P. 1188
  14. Stier O., Grundmann M., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. N 8. P. 5688
  15. Wu Y., Suris R.A., Asryan L.V. // App. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 191102
  16. Леванюк А.П., Осипов В.В. // Успехи физ. наук. 1981. Т. 133. N 3. С. 427
  17. Grundmann M., Stier O., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. N 16. P. 11969
  18. Heitz R., Veit M., Kalburge A., Xie Q., Grundmann M., Chen P., Ledentsov N.N., Hoffmann A., Madhukar A., Bimberg D., Ustinov V.M., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. // Physica E. 1998. V. 2. P. 578
  19. Петросян С.Г., Чалдышев В.В., Шик А.Я. // ФТП. 1984. Т. 18. N 9. С. 1565

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme