Вышедшие номера
Люминесценция дефектов F-типа и их термическая стабильность в сапфире, облученном импульсными ионными пучками
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20020022
The work was supported by Minobrnauki initiative research project № 16.5186.2017/8.9 and Act 211 Government of the Russian Federation, contract no. 02.A03.21.0006.
Ананченко Д.В.1, Никифоров С.В.1, Рамазанова Г.Р.1, Баталов Р.И.2, Баязитов Р.М.2, Новиков Г.А.2
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: d.v.ananchenko@urfu.ru, s.v.nikiforov@urfu.ru, ramazanova_guzalliia@mail.ru, batalov@kfti.knc.ru, bayaz@kfti.knc.ru, h.novikoff@kfti.knc.ru
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Исследована люминесценция и термическая стабильность дефектов, образующихся в монокристаллах alpha-Al2O3 после импульсной обработки пучком ионов C+/H+ с энергией 300 keV и длительностью импульса 80 ns. По результатам измерения оптического поглощения, фотолюминесценции и импульсной катодолюминесценции обнаружено, что такой тип воздействия приводит к интенсивной генерации в alpha-Al2O3 как одиночных F- и F+-центров, так и более сложных дефектов (агрегатных центров F2-типа или вакансионно-примесных комплексов). Термическая стабильность дефектов F-типа, образуемых в alpha-Al2O3 при воздействии импульсным ионным пучком, сравнима со стабильностью радиационно-индуцированных дефектов в нейтронно-облученных образцах. Ключевые слова: сапфир, люминесценция, ионное облучение, радиационно-индуцированные дефекты.