Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур

DOI: 10.21883/OS.2020.03.49067.300-19

Переводная версия: 10.1134/S0030400X20030030

Алафердов А.В.^1,2,3, Вихрова О.В.¹, Данилов Ю.А.¹, Звонков Б.Н.¹, Мошкалев С.А.²

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Center for Semiconductor Components and Nanotechnologies, University of Campinas,-870 Campinas, SP, Brazil

Center for Semiconductor Components and Nanotechnologies, University of Campinas, Campinas, SP, Brazil

³The "Gleb Wataghin" Institute of Physics, University of Campinas,-859 Campinas, SP, Brazil Gleb Wataghin Institute of Physics, University of Campinas, Campinas, SP, Brazil

Gleb Wataghin Institute of Physics, University of Campinas, Campinas, SP, Brazil

Email: danilov@nifti.unn.ru

Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально обнаружено существенное (почти на два порядка величины) увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции диодной структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs, слоем GaMnAs в качестве спинового инжектора и контактным покрытием из пленки многослойного графена. Результат объясняется возможным образованием гибридной системы многослойного графена и полупроводника GaAs под воздействием излучения He-Ne-лазера, приводящим к изменению зонной диаграммы гетероструктуры. Ключевые слова: светоизлучающая структура, GaAs, квантовая яма, многослойный графен, люминесценция, лазерное воздействие.

Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 11. С. 1455-1458
Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. // ФТТ. 2017. Т. 59. В. 11. С. 2196-2199
Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 11. С. 1478-1483
Ma Y., Zhi L. // Small Methods. 2019. V. 3. P. 1800199
Shin D.H., Choi S.-H. // Micromachines. 2018. V. 9. N 7. P. 350
Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Звонков Б.Н., Ковалев В.И., Кунькова З.Э., Подольский В.В., Сапожников М.В., Сучков А.И., Темирязева М.П. // Известия РАН. Сер. физ. 2007. Т. 71. В. 1. С. 37-39
Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Кудрин А.В., Сапожников М.В. // ФТТ. 2010. Т. 52. В. 11. С. 2124-2127
Alaferdov A.V, Savu R., Rackauskas T.A., Rackauskas S., Canesqui M.A., de Lara D.S., Setti G.O., Joanni E., de Trindade G.M., Lima U.B., de Souza A.S., Moshkalev S.A. // Nanotechnology. 2016. V. 27. P. 375501
Alaferdov A.V., Gholamipour-Shirazi A., Canesqui M.A., Danilov Yu.A., Moshkalev S.A. // Carbon. 2017. V. 69. P. 525-535
Alaferdov A.V., Savu R., Canesqui M.A., Kopelevich Y.V., da Silva R.R., Rozhkova N.N., Pavlov D.A., Usov Yu.V, de Trindade G.M., Moshkalev S.A. // Carbon. 2018. V. 129. P. 826-829
Ferrari A.C. // Solid State Commun. 2007. V. 143. P. 47-57
Ermakov V.A., Alaferdov A.V., Vaz A.R., Baranov A.V., Moshkalev S.A. // Nanotechnology. 2013. V. 24. P. 155301
Ferrari A.C., Basko D.M. // Nature Nanotechnology. 2013. V. 3. N 4. P. 235-246
Moshkalev S.A., Ermakov V.A., Vaz A.R., Alaferdov A.V., Savu R., Silveira J.R., Souza Filho A.G. // Microelectronic Engineering. 2014. V. 121. P. 55-58
Del S.K., Bornemann R., Bablich A., Schafer-Eberwein H., Li J., Kowald T., Ostling M., Bolivar P.H., Lemme M.C. // 2D Materials. 2015. V. 2. P. 011003
Mortazavi S.Z., Parvin P., Reyhani A. // Laser Phys. Lett. 2012. V. 9. N 7. P. 547-552
Guan Y.C., Fang Y.W., Lim G.C., Zheng H.Y., Hong M.H. // Scientific Reports. 2016. V. 6. P. 28913
Abramov D., Arakelian S., Kochuev D., Makov S., Prokoshev V., Khorkov K. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2016. V. 7. N 1. P. 220-225
Елецкий А.В., Искандарова И.М., Книжник А.А., Красиков Д.Н. // УФН. 2011. Т. 181. В. 3. С. 233-268

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель