Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2023, выпуск 7 » Статья стр. 965
<<<>>>
Взаимодействие электромагнитной Н-волны с наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик" с учетом анизотропии зонной структуры полупроводника
DOI: 10.21883/OS.2023.07.56132.4865-23
Кузнецова И.А. 1, Савенко О.В. 1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
Email: kuz@uniyar.ac.ru, savenko.oleg92@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 28 апреля 2023 г.
Принята к печати: 28 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 9 августа 2023 г.
PDF версия
Решена задача о взаимодействии электромагнитной Н-волны со слоистой наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик". Толщина полупроводникового слоя может быть сравнима или меньше длины волны де Бройля носителя заряда. Поверхностное рассеяние носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Предполагается, что частота электромагнитной волны меньше частоты плазменного резонанса. В рассматриваемом случае поверхность постоянной энергии представляет собой эллипсоид вращения. Получены аналитические выражения для коэффициентов отражения, пропускания и поглощения. Выполнены расчеты для предельных случаев вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведен анализ зависимостей оптических коэффициентов от безразмерных параметров: толщины полупроводникового слоя, частоты и угла падения электромагнитной волны, химического потенциала, параметра эллиптичности, диэлектрических проницаемостей изолирующих слоев и параметров шероховатости границ раздела "полупроводник-диэлектрик". Ключевые слова: слоистая наноструктура, уравнение Лиувилля, длина волны де Бройля, модель Соффера, оптические коэффициенты.
  1. М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников, К.С. Аюпов, Е.Ж. Косбергенов. ФТП, 56 (1), 128 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51823.9642 [M.K. Bakhadyrkhanov, Z.T. Kenzhaev, S.V. Koveshnikov, K.S. Ayupov, E.Zh. Kosbergenov. Semiconductors, 56 (1), 101 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.01.53028.9642]
  2. А.С. Голтаев, А.А. Воробьев, А.М. Можаров, А.В. Павлов, Д.М. Митин, В.В. Федоров, Ю.С. Бердников, И.С. Мухин. Письма в ЖТФ, 48 (18), 6 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.18.53390.19245 [A.S. Goltaev, A.A. Vorobyov, A.M. Mozharov, A.V. Pavlov, D.M. Mitin, V.V. Fedorov, Yu.S. Berdnikov, I.S. Mukhin. Tech. Phys. Lett., 48 (9), 41 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.09.55081.19245]
  3. В.А. Небольсин, N. Swaikat, А.Ю. Воробьев, В.А. Юрьев. Письма в ЖТФ, 49 (2), 34 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.02.54284.19285 [V.A. Nebolsin, N. Swaikat, A.Yu. Vorobev, V.A. Yuryev. Tech. Phys. Lett., 49 (1), 75 (2023). DOI: 10.21883/TPL.2023.01.55355.19285]
  4. Е.А. Ионова, Н.Ю. Давидюк. ЖТФ, 93 (1), 122 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.01.54071.160-22
  5. Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова. ФТП, 55 (12), 1248 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51714.9712
  6. W.B. Su, C.S. Chang, T.T. Tsong. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 013001 (2010). DOI: 10.1088/0022-3727/43/1/013001
  7. R. Villagomez, M. Xiao. Optik, 127, 5920 (2016). DOI: 10.1016/j.ijleo.2016.04.048
  8. В.В. Старостенко, В.Б. Орленсон, А.С. Мазинов, Л.Н. Ахрамович. Письма в ЖТФ, 46 (9), 43 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.09.49373.18242 [V.V. Starostenko, V.B. Orlenson, A.S. Mazinov, L.N. Akhramovich. Tech. Phys. Lett., 46, 450 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020050156]
  9. L. Sheng, D.Y. Xing, Z.D. Wang. Phys. Rev. B, 51, 7325 (1995). DOI: 10.1103/PhysRevB.51.7325
  10. D. Ketenoglu, B. Unal. Physica A, 392, 3008 (2013). DOI: 10.1016/j.physa.2013.03.007
  11. R.C. Munoz, C. Arenas. Appl. Phys. Rev., 4, 011102 (2017). DOI: 10.1063/1.4974032
  12. S. Chatterjee, A.E. Meyerovich. Phys. Rev. B, 84, 165432 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.84.165432
  13. R.I. Bihun, Z.V. Stasyuk, O.A. Balitskii. Physica B: Condens. Matter, 487, 73 (2016). DOI: 10.1016/J.PHYSB.2016.02.003
  14. I.A. Kuznetsova, O.V. Savenko, D.N. Romanov. Phys. Lett. A, 427, 127933 (2022). DOI: 10.1016/j.physleta.2022.127933
  15. O.V. Savenko, I.A. Kuznetsova. Proc. SPIE, 12157, 121570W (2022). DOI: 10.1117/12.2622544
  16. I.A. Kuznetsova, D.N. Romanov, O.V. Savenko. Phys. Scr., 98, 015839 (2023). DOI: 10.1088/1402-4896/acad38
  17. S.B. Soffer. J. Appl. Phys., 38 (4), 1710 (1967). DOI: 10.1063/1.1709746
  18. И.А. Кузнецова, О.В. Савенко. ФТП, 56 (8), 794 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53147.33 [I.A. Kuznetsova, O.V. Savenko. Semiconductors, 56 (8), 570 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.08.54116.33]
  19. О.В. Савенко, И.А. Кузнецова. Вестник МГОУ. Серия: физика-математика, 3, 39 (2022). DOI: 10.18384/2310-7251-2022-3-39-57
  20. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (Наука, М., 1978)
  21. А.В. Латышев, А.А. Юшканов. Оптический журнал, 79 (6), 3 (2012). [A.V. Latyshev, A.A. Yushkanov. J. Optical Technology, 79 (6), 316 (2012). DOI: 10.1364/JOT.79.000316]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme