Вышедшие номера
Влияние термического отжига на гамма-индуцированные центры окраски и активаторное свечение в сцинтилляторных кристаллах Lu2SiO5 : Ce
Приложение 1 к Постановлению Президента РУз ПП-4526 от 21.11.2019, бюджетная тема по Программе НИР ИЯФ АН РУз. , ПП-4526
Исламов А.Х.1, Ибрагимова Э.М. 1, Кудратов Х.К.1, Расулкулова Д.С.2
1Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им. У.А. Арифова АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Email: akhatqul@inp.uz, ibragimova@inp.uz, hqudratov@inp.uz, rasulkulova.dilnoza@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 ноября 2022 г.
В окончательной редакции: 30 мая 2023 г.
Принята к печати: 26 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 29 сентября 2023 г.

Оксиортосиликат лютеция, легированный церием (Lu2SiO5:Ce), используется как сцинтиллятор для регистрации ядерных излучений. Однако после гамма-облучения (60Co) высокой дозой 5· 106 Gy при 310 K выход гамма-люминесценции (ГЛ) снижается на 25%. Для выяснения причин и механизма этого снижения исследованы изохронный термический отжиг наведенных оптических центров окраски и восстановление активаторного свечения в интервале температур от 373 до 773 K в воздухе. Показано, что после облучения наряду с полосами 238 (F-центр), 263 (Се3+/Се4+) и 293 nm (Се3+/F+) также регистрируется полоса поглощения 422 nm, которая предположительно связана с дефектным Ce4++VO-центром и ответственна за желтую окраску и снижение ГЛ в полосах 399 (Сe1-центр) и 450 nm (Ce2-центр). При температурах > 573 K F-центры и Се4++VO-комплексы отжигаются, и ГЛ восстанавливается до исходного уровня, что связано с миграцией междоузельного кислорода к анионной вакансиии и залечиванием радиационного дефекта. Ключевые слова: Lu2SiO5:Ce, гамма-облучение, центры окраски, термический отжиг, гамма-индуцированная люминесценция. DOI: 10.61011/OS.2023.08.56295.4357-23