Длинноволновые (λ0.1=10 μm, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb0.38
Кунков Р.Э.1, Климов А.А.1, Лебедева Н.М.1, Лухмырина Т.С.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Усикова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: romunkov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 29 сентября 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 12 января 2024 г.
Исследованы фотоприемники на основе диодной гетероструктуры с фоточувствительной областью из твердого раствора InAsSbx (x = 0.38) с длинноволновой границей фоточувствительности λ0.1 около 10 μm (296 K). Исследованы зависимости плотности темновых токов и обнаружительной способности в интервале температур 200-425 K. Показано, что экспериментальные образцы характеризуются значениями плотности темновых токов около 500 А/сm2 при комнатной температуре, обнаружительной способностью 1.2·109 и 5·109 сmHz1/2W-1 при комнатной температуре и 250 K соответственно и диффузионным механизмом токопротекания в интервале температур 200-350 K. Ключевые слова: длинноволновые фотоприемники, полупроводники AIIIBV, твердые растворы InAsSb, фотодиоды.
- A. Rogalski. Infrared Phys. Technol., 54 (3), 136 (2011). DOI: 10.1016/j.infrared.2010.12.003
- A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, W. Hu. Appl. Sci., 11 (2), 501 (2021). DOI: 10.3390/s23177564
- D.H. Wu, A. Dehzangi, Y.Y. Zhang, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 112 (24), 241103 (2018). DOI: 10.1063/1.5035308
- A. Rogalsky, M. Kopytko, P. Martyniuk. Antimonide-based infrared detectors (SPIE press, Bellingham, 2018)
- N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infrared Phys. Technol., 88, 223(2018)
- R.E. Kunkov, A.A. Klimov, N.M. Lebedeva, T.C. Lukhmyrina, B.А. Matveev, M.А. Remennyy. J. Phys.: Conf. Ser., 1695 (1), 012077 (2020)
- A.A. Klimov, R.E. Kunkov, A.A. Lavrov, N.M. Lebedeva, T.C. Lukhmyrina, B.А. Matveev, M.А. Remennyi. J. Phys.: Conf. Ser., 1851 (1), 012019 (2021)
- New Semiconductor Materials. Biology systems. Characteristics and Properties [Электронныйресурс]. URL: http://www.matprop.ru/InSb_bandstr
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.