Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2024, выпуск 2 » Статья стр. 161
<<<>>>
Исследование структурных и оптических свойств тонких пленок CdS в зависимости от времени химического осаждения
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Т21АРМ-003
Комитет Науки МОНКС Республики Армения, 21SC-BRFFR-1C003
Государственная программа научных исследований Республики Беларусь «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии», 1.4.1
Гременок В.Ф. 1,2, Зарецкая Е.П.1, Станчик А.В. 1,2, Бускис К.П. 1, Пашаян С.T.3, Toкмаджян A.С.4, Мусаелян A.С.4, Петросян С.Г. 4
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3Институт физических исследований Национальной академии наук Армении, Аштарак, Армения
4Институт радиофизики и электроники НАН Армении, Аштарак, Армения
Email: gremenok@gmx.net, ezaret@physics.by, alena.stanchik@bk.ru, konstantinbuskis@gmail.com, stpashayan@gmail.com, anna.tokmajyan@mail.ru, ashmusa@mail.ru, stepan.petrosyan@rau.am
Поступила в редакцию: 27 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 24 января 2024 г.
Принята к печати: 28 февраля 2024 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2024 г.
PDF версия
Тонкие пленки CdS были получены химическим осаждением на стеклянные подложки для потенциального применения в качестве буферных слоев в тонкопленочных фотопреобразователях. Методами рентгеновского фазового анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния установлено, что синтезированные в оптимальных технологических режимах пленки CdS кристаллизуются в гексагональной структуре вюрцита. Показано, что время осаждения оказывает влияние на скорость роста, морфологические и микроструктурные характеристики синтезированного материала. С увеличением длительности синтеза при заданной температуре раствора наблюдается значительное снижение шероховатости поверхности, сопровождаемое уменьшением размеров кластеров кристаллитов и микроструктурных дефектов. Оптическая ширина запрещенной зоны пленок CdS составляет 2.53-2.57 eV. Наличие ярко выраженной зеленой полосы излучения в спектрах фотолюминесценции показывает, что пленки CdS обладают высокой степенью кристалличности при минимальной плотности дефектов. Ключевые слова: пленки CdS, химическое осаждение, микроструктура, оптические свойства, оптическая ширина запрещенной зоны, спектры фотолюминесценции.
  1. K.L. Chopra, R.C. Kainthla, D.K. Pandya, A.P. Thakoor. Physics of Thin Films (Academic Press, NY., 1982)
  2. M.A. Green, E.D. Dunlop, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, N. Kopidakis, K. Bothe, D. Hinken, M. Rauer, X. Hao. Prog. Photovolt. Res. Appl., 30, 687 (2022). DOI: 10.1002/pip.3595
  3. M.G. Buonomenna. Symmetry, 15 (9), 1718 (2023). DOI: 10.3390/sym15091718
  4. A. Romeo, E. Artegiani. Energies, 14 (6), 1684 (2021). DOI: 10.3390/en14061684
  5. T. Nakada, M. Mizutani, Y. Hagiwara, A. Kunioka. Solar Energy Materials \& Solar Cells, 67, 255 (2001). DOI: 10.1016/s0927-0248(00)00289-0
  6. M. Islam, S. Hossain, M. Aliyu, P. Chelvanathan, Q. Huda, M. Karim, K. Sopian, N. Amin. Energy Procedia, 33, 203 (2013). DOI: 10.1016/j.egypro.2013.05.059
  7. P. Jackson, D. Hariskos, R. Wuerz, O. Kiowski, A. Bauer, T.M. Friedlmeier, M. Powalla. Phys. Status Sol. Rapid Res. Lett., 9 (1), 28 (2015). DOI: 10.1002/pssr.201409520
  8. L.A. Kosyachenko. Solar Cells-Thin-Film Technologies (InTech, 2011)
  9. M.A. Nusimovici, M. Balkanski, J.L. Birman. Phys. Rev. B, 1, 595 (1970). DOI: 10.1103/PhysRevB.1.595
  10. A.I. Oliva, O. Soli s-Canto, R. Castro-Rodri guez, P. Quintana. Thin Solid Films, 391 (1), 28 (2001). DOI: 10.1016/S0040-6090(01)00830-6
  11. R. Castro-Rodri guez, A.I. Oliva, Victor Sosa, F. Caballero-Briones, J.L. Pena. Appl. Surf. Sci., 161 (3-4), 340 (2000). DOI: 10.1016/S0169-4332(99)00574-7
  12. P.J. George, A. Sanchez-Juarez, P.K. Nair. Semicond. Sci. Technol., 11, 1090 (1996). DOI: 10.1088/0268-1242/11/7/021
  13. A.E. Rakhshani, A.S. Al-Azab. J. Phys.: Cond. Matt., 12, 8745 (2000). DOI: 10.1088/0953-8984/12/40/316
  14. P.J. Sebastian, Hailin Hu. Adv. Mater. Opt. Electron, 4, 407 (1994). DOI: 10.1002/amo.860040604
  15. N. Lejmi, O. Savadogo. Solar Energy Materials \& Solar Cells, 70, 71 (2001). DOI: 10.1016/S0927-0248(00)00412-8
  16. H. Moualkia, S. Hariech, M.S. Aida. Thin Solid Film, 518, 1259 (2009). DOI: 10.1016/j.tsf.2009.04.067
  17. M.G. Sandoval-Paz, R. Rami rez-Bon. Thin Solid Film, 517, 6747 (2009). DOI: 0.1016/j.tsf.2009.05.045
  18. A.S. Najm, H.S. Naeem, H.Sh. Majdi, S.A. Hasbullah, H.A. Hasan, K. Sopian, B. Bais, H.J. Al-Iessa, H.A. Dhahad, J.M. Ali, A.J. Sultan. Sci. Rep., 12, 15295 (2022). DOI: 10.1038/s41598-022-19340-z
  19. F. Lisco, P.M. Kaminski, A. Abbas, K. Bass, J.W. Bowers, G. Claudio, M. Losurdo, J.M. Walls. Thin Solid Films, 582, 323 (2015). DOI: 10.1016/j.tsf.2014.11.062
  20. A. Ashok, G. Regmi, A. Romero-Nunez, M. Solis-Lopez, S. Velumani, H. Castaneda. J. Materials Science: Materials in Electronics, 31, 7499 (2020). DOI: 10.1007/s10854-020-03024-3
  21. D. Abou-Ras, G. Kostorz, A. Romeo, D. Rudmann, A.N. Tiwari. Thin Solid Films, 481, 118 (2005). DOI: 10.1016/j.tsf.2004.11.033
  22. S. Aksay. Eskisehir Technical Univ. J. Sci. and Tech. A - Appl. Sci. and Eng., 19 (4), 1013 (2018). DOI: 10.18038/aubtda.425869
  23. D.K. Schroeder. Semiconductor Materials and Device Characterization (Wiley, N.Y., 1990)
  24. J. Tauc. Optical properties of solids (Amsterdam, North-Holland, 1970)
  25. J.P. Enri quez, X. Mathew. Solar Energy Materials \& Solar Cells, 76, 313 (2003). DOI: 10.1016/S0927-0248(02)00283-0
  26. F. Urbach. Phys. Rev., 92 (5), 1324 (1953). DOI: 10.1103/physrev.92.1324. ISSN 0031-899X
  27. P.J.L. Herve, L.K.J. Vandamme. Infrared Phys. and Technol., 35, 609 (1994). DOI: 10.1016/1350-4495(94)90026-4
  28. R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel. Thin Solid Films, 281-282, 386 (1996). DOI: 10.1016/0040-6090(96)08621-X
  29. S. Hariech, J. Bougrida, M. Belmahi, G. Medjahdi, M.S. Aida, A. Zertal. Bull. Mater. Sci., 45, 78 (2022). DOI: 10.1007/s12034-022-02661-0
  30. P.K. Narayanam, P. Soni, P. Mohanta, R.S. Srinivasa, S.S. Talwar, S.S. Major. Mater. Chem. Phys., 139, 196 (2013). DOI: 10.1016/J.MATCHEMPHYS.2013.01.022
  31. K.S. Ramaiah, R.D. Pilkington, A.E. Hill, R.D. Tomlinson, A.K. Bhatnagar. Mater. Chem. Phys., 68, 22 (2001). DOI: 10.1016/S0254-0584(00)00281-9
  32. S.R. Meher, D.K. Kaushik, A. Subrahmanyam. J. Materials Science: Materials in Electronics, 28 (8), 6033 (2017). DOI: 10.1007/s10854-016-6279-2
  33. J. Aguilar-Hernandez, G. Contreras-Puente, A. Morales-Acevedo, O. Vigil-Galan, F. Cruz-Gandarilla, J. Vidal-Larramendi, A. Escamilla-Esquivel, H. Hernandez-Contreras, M. Hesiquio-Garduno, A. Arias-Carbajal, M. Chavarri a-Castaneda, G. Arriaga-Meji a. Semicond. Sci. Technol., 18, 111 (2003). DOI: 10.1088/0268-1242/18/2/308
  34. O. Madelung. Semiconductors-Basic Data. 2nd rev. ed (Berlin, Springer, 1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme