Представлены результаты количественного и качественного анализа тонкой структуры 2p-спектров высокого разрешения (60 meV) для поверхности Si(100)c(4x2). Проведено моделирование 2p-линии для различных энергий фотонов, энергетического разрешения и плотности структурных дефектов в поверхностном слое кремния. Установлены предельные значения параметров эксперимента (энергии фотонов и разрешения), при которых характерные особенности спектров могут использоваться как индикатор состояния поверхности. Сделана оценка их чувствительности к вакансиям в слое поверхностных димеров. Полученные результаты могут быть применены в качестве справочных данных при проведении экспериментов и обработке результатов фотоэлектронной спектроскопии 2p-остовного уровня Si. Ключевые слова: поверхность, фотоэлектронная спектроскопия, остовный уровень, поверхностный сдвиг, кремний.