Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2024, выпуск 12 » Статья стр. 1214
<<<>>>
Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.1, Калюжный Н.А.1, Малевский Д.А. 1, Минтаиров С.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamint@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 27 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 12 февраля 2025 г.
PDF версия
Исследованы экспериментальные спектры электролюминесценции для светодиода (площадь 1 mm2) на основе Al0.2Ga0.8As p-i-n-перехода с шестью квантовыми ямами In0.1Ga0.9As шириной 3 nm и получена экспериментальная зависимость интенсивности основного пика электролюминесценции от плотности тока. При малых плотностях эта зависимость линейна (пропорциональна) и сублинейна при больших. Для исследуемого образца расчет показал, что плотность тока, при которой начинается насыщение Jsat~ 30 A/cm2. Предложен экспериментальный метод, позволяющий определить Jsat. Экспериментальное значение для светодиода с шестью квантовыми ямами составило 210 А/cm2, что в пересчете на одну яму дает 35 А/cm2. Ключевые слова: светодиоды, насыщение интенсивности электролюминесценции.
  1. E.F. Schubert. Light-emitting diodes (Cambridge University Press, 2006)
  2. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев,ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/\FTP\.2021.08.51143.9665
  3. M. Hirotani, T.E. Sale, J. Woodhead, J.S. Roberts, P.N. Robson, T. Saka, T. Kato, J. of Crystal Growth, 170, 390-393 (1997). DOI: 10.1016/S0022-0248(96)00534-9
  4. N.E.J. Hunt, E.F. Schubert, D.L. Sivco, A.Y. Cho, G.J. Zydzik. Electron. Lett., 28 (23), 2169 (1992). DOI: 10.1049/el:19921392
  5. Y. Yu, X. Qin, B. Huang, J. Wei, H. Zhou, J. Pan, W. Chen, Y. Qi, X. Zhang, Z. Ren. Vacuum, 69 (4), 489-493 (2003). DOI: 10.1016/S0042-\207X\(02)00560-2
  6. H. De Neve, J. Blondelle, P. Van Daele, R. Baets, P. Demeester, G. Borghs. Electron. Lett., 30 (21),1787-1789 (1994). DOI: 10.1049/el:19941216
  7. T. Takamori, A.R. Pratt, T. Kamijoh. Appl. Phys. Lett., 74 (24), 3598-3600 (1999). DOI: 10.1063/1.123193
  8. H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, C.-H. Lee, J.-H. Kim, L.-K. Kwac. Infrared Phys. Technol., 118, 103879 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103879
  9. D.-K. Kim, H.-J. Lee. J. Nanosci. Nanotechnol., 18 (3), 2014-2017 (2018). DOI: 10.1166/jnn.2018.14952
  10. М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, Р.А. Салий, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный, Письма в ЖТФ, 46 (12), 30 (2020). DOI: 10.21883/\PJTF\.2020.12.49524.18284
  11. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, R.A. Salii, M. Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors, 52 (10), 1244-1248 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618100135
  12. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, M.Z. Shvarts, S.A. Mintairov, R.A. Salii, N.A. Kalyuzhnyy, AIP Conf. Proc. 1747, 050003 (2016). DOI: 10.1063/1.4954366

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme