Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Генерация терагерцового излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами \InGaAs/InAlAs\ с ориентациями (100) и (111)А

Климов Е.А.^1,2, Пушкарев С.С.¹, Клочков А.Н.³, Ковалeва П.М.⁴, Кузнецов К.А.⁴

¹Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

²Акционерное общество НПО "Орион", Москва, Россия
³Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

⁴Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Email: s_s_e_r_p@mail.ru

Поступила в редакцию: 5 декабря 2024 г.

В окончательной редакции: 9 декабря 2024 г.

Принята к печати: 10 декабря 2024 г.

Выставление онлайн: 22 апреля 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Исследовано влияние встроенного электрического поля в гетероструктурах на генерацию терагерцового (ТГц) излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами поверхности гетероструктур, представляющих собой упруго напряженные сверхрешетки In_{0.53+Δ x}Ga_{0.47-Δ x}As/In_{0.52-Δ x}Al_{0.48+Δ x}As, эпитаксиально выращенные на подложках InP с ориентациями (100) и (111)А. В серии образцов варьировалось значение Δ x, а следовательно, и значение упругих напряжений. "Красный" сдвиг пика на спектрах фотолюминесценции подтверждает наличие встроенного электрического поля в (111)А-гетероструктурах, вызванного пьезоэффектом. Показано, что (100)-гетероструктуры генерируют ТГц сигнал приблизительно одинакового уровня (разброс значений амплитуды ТГц поля не более 30% от среднего значения) независимо от упругих напряжений, в то время как в серии (111)А-гетероструктур ТГц сигнал значительно (на 75-90%) возрастает для сильно напряженных образцов. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, InGaAs, пьезоэффект, терагерцовое излучение, фемтосекундный лазер.

D. C\^ote, N. Laman, H.M. van Driel. Appl. Phys. Lett., 80 (6), 905 (2002). DOI: 10.1063/1.1436530
D. Cote, N. Laman, H.M. van Driel. Appl. Phys. Lett., 80, 905 (2002)
A. Krotkus. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 273001 (2010). DOI: 10.1088/0022-3727/43/27/273001
B. Globisch, R.J.B. Dietz, R.B. Kohlhaas, T. Gobel, M. Schell, D. Alcer, M. Semtsiv, W.T. Masselink. J. Appl. Phys., 121, 053102 (2017). DOI: 10.1063/1.4975039
MenloSystems [Электронный ресурс]. URL: https:// www.menlosystems.com/products/thz-time-domain-solutions/ tera15-fc-3/ (дата обращения: 20.11.2024)
Nathan M. Burford, Magda O. El-Shenawee. Opt. Eng., 56 (1), 010901 (2017). DOI: 10.1117/1.OE.56.1.010901
R.J. Dietz, M. Gerhard, D. Stanze, M. Koch, B. Sartorius, M. Schell. Opt. Express, 19 (27), 25911 (2011). DOI: 10.1364/OE.19.025911
А.Э. Ячменев, Д.В. Лаврухин, Р.А. Хабибуллин, Ю.Г. Гончаров, И.Е. Спектор, К.И. Зайцев, В.А. Соловьев, С.В. Иванов, Д.С. Пономарев. Опт. и спектр., 129 (6), 741 (2021). DOI: 10.21883/OS.2021.06.50985.4-21
D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, Y.G. Goncharov, K.I. Zaytsev, R.A. Khabibullin, A.M. Buryakov, E.D. Mishina, D.S. Ponomarev. IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 11 (4), 417 (2021). DOI: 10.1109/TTHZ.2021.3079977
V.L. Malevich. J. Appl. Phys., 112, 073115 (2012)
А.Я. Шик. Сверхрешетка // Большая российская энциклопедия: научно-образовательный портал. URL: https://bigenc.ru/c/sverkhreshiotka-a2f3e5/?v=5490666. Дата публикации: 10.11.2022
P.O. Vaccaro, M. Takahashi, K. Fujita, T. Watanabe. J. Appl. Phys., 76, 8037 (1994). DOI: 10.1063/1.357923
E.A. Khoo, J.P.R. David, J. Woodhead, R. Grey, G.J. Rees. Appl. Phys. Lett., 75, 1929 (1999). DOI: 10.1063/1.124874
A. Chin, K. Lee. Appl. Phys. Lett., 68, 3437 (1996). DOI: 10.1063/1.115785
S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons Ltd., United Kingdom, 2009)
Г.Б. Галиев, М.М. Грехов, Г.Х. Китаева, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, О.С. Коленцова, В.В. Корниенко, К.А. Кузнецов, П.П. Мальцев, С.С. Пушкарев. ФТП, 51 (3), 322 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44201.8312
S. Hargreaves, K. Radhanpura, R.A. Lewis. Phys. Rev. B, 80 (19), 195323 (2009)
A. Krotkus. J. of Phys. D: Appl. Phys., 43 (27), 273001 (2010)
M. Reid, I. V. Cravetchi, R. Fedosejevs // Phys. Rev. B, 72, 035201 (2005)
I. Beleckaite, R. Adomaviv cius, R. Butkute, V. Pav cebutas, G. Molis, V. Bukauskas, A. Selskis, A. Krotkus. Electron. Lett., 52, 1954 (2016). DOI: 10.1049/el.2016.2517
P. Cicenas, A. Geiv zutis, V.L. Malevich, A. Krotkus. Opt. Lett., 40 (22), 5164 (2015). DOI: 10.1364/OL.40.005164
I. Nevinskas, K. Vizbaras, A. Trinkunas, R. Butkute, A. Krotkus. Opt. Lett., 42 (13), 2615 (2017). DOI: 10.1364/OL.42.002615
Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, А.М. Буряков, В.Р. Билык, Е.Д. Мишина, Е.А. Климов, И.С. Васильевский, П.П. Мальцев. ФТП, 51 (4), 529 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44347.8408

Учредители

Издатель