Исследовано влияние стехиометрии молекулярных потоков Zn : Te на оптические свойства теллурида цинка. Рассмотренные структуры ZnTe были получены на подложках GaAs (100) с помощью метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Посредством оптической эллипсометрии были определены эллипсометрические спектры параметра psi. Исследование показало, что особенности Ван-Хова E₁ и E_1+Δ₁, соответствующие 3.65 eV и 4.27 eV, являются характерными для соединения ZnTe. Избыток теллура в потоке падающего вещества приводит к одновременному уменьшению амплитуды и уширению экстремумов в спектре psi(λ) из-за образования дефектов, поглощающих видимое излучение. Спектры показателя psi и мнимой компоненты диэлектрической проницаемости в области E > E_g содержат экстремумы, схожие по энергетическому положению. При преобладании одного из компонентов в соотношении Zn : Te, энергетические положения критических точек остаются постоянными при разной толщине образцов. Однако избыточный Zn в соотношении Zn : Te приводит к неопределенности энергетического положения края поглощения. Результаты исследования могут оказаться полезными для эллипсометрического экспресс-контроля стехиометрии и оценки кристаллического качества бинарных твердых растворов группы А₂В₆ в составе эпитаксиальных слоев. Ключевые слова: теллурид цинка, спектральная эллипсометрия, молекулярно-лучевая эпитаксия, стехиометрия состава, эллипсометрические спектры.