Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности измерения теплового сопротивления микросборки мощных нитрид-галлиевых НЕМТ с кремниевым MOSFET, включенных по каскодной схеме

Смирнов В.И.

^1,2, Сергеев В.А.

¹, Гавриков А.А.

¹Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Ульяновск, Россия Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Ulyanovsk Branch), Russian Academy of Sciences, Ulyanovsk, Russia

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Ulyanovsk Branch), Russian Academy of Sciences, Ulyanovsk, Russia

²Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State Technical University, Ulyanovsk, Russia

Email: smirnov-vi@mail.ru, sva@ulstu.ru, a.gavrikoff@gmail.com

Поступила в редакцию: 7 мая 2025 г.

В окончательной редакции: 7 мая 2025 г.

Принята к печати: 24 октября 2025 г.

Выставление онлайн: 26 ноября 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы теплоэлектрические процессы в GaN-транзисторах с каскодной структурой, состоящей из последовательно соединенных HEMT и MOSFET. Показана возможность определения сопротивления каналов HEMT и MOSFET по результатам измерения вольт-амперных характеристик каскодной структуры в различных режимах включения и приведены оценки тепловой мощности, рассеиваемой в обоих кристаллах. Компоненты теплового сопротивления транзистора определялись с помощью аппаратно-программного комплекса, реализующего модуляционный метод измерения с разогревом объекта импульсами греющего тока с широтно-импульсной модуляцией по гармоническому закону. Полученные значения компонент теплового сопротивления хорошо согласуются с паспортными данными транзистора. Ключевые слова: нитрид-галлиевый транзистор, каскодная структура, НЕМТ, MOSFET, тепловое сопротивление, модуляционный метод, тепловое излучение.

T.R. Lenka, P.T. Nguyen Hieu. HEMT Technology and Applications (Springer, Singapore, 2022). DOI: 10.1007/978-981-19-2165-0
F. Oettinger, D. Blackburn. Thermal resistance measurements (Government Printing, U.S., 1990)
M. Rencz, G. Farkas, A. Poppe. Theory and Practice of Thermal Transient Testing of Electronic Components (Springer, Switzerland, 2023). DOI: 10.1007/978-3-030-86174-2
А. Строгонов, М. Харченко, А. Ханин. Электроника: Наука. Технология. Бизнес, 8, 00229, 2023
X. Hu, G. Simin, J. Yang. Electron. Lett., 36 (8), 753 (2000). DOI: 10.1049/el:20000557
X. Huang, W. Du, F.C. Lee, Q. Li, Z. Liu. IEEE Trans. Power Electron., 31 (1), 593 (2015). DOI: 10.1109/TPEL.2015.2398856
C. Wu et al. Energies, 14 (12), 3477 (2021). DOI: 10.3390/en14123477
S.M. Sze, M.K. Lee. Physics of Semiconductor Devices (Wiley, 2006)
G. Farkas, Z. Sarkany, M. Rencz. International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (Nuremberg, Germany, 2016), pp. 1-8. [Электронный ресурс]. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/7499411/metrics\#metrics
V.I. Smirnov, V.A. Sergeev, A.A. Gavrikov, A.M. Shorin. Microelectronics Reliability, 80, 205-212 (2018). DOI: 10.1016/j.microrel.2017.11.024
V.I. Smirnov, A.A. Gavrikov. IEEE Trans. Instr. Measur., 73, 1-9 (2024). DOI: 10.1109/TIM.2023.3345913

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель