"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства пленок теллурида кадмия, подвергнутых лазерному облучению
Байдуллаева А.1, Даулетмуратов Б.К.1, Власенко А.И.1, Гнатюк В.А.1, Мозоль П.Е.1
1Институт полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства пленок CdTe, полученных методом вакуумного напыления и подвергнутых облучению импульсами излучения рубинового лазера длительностью 20 нс с плотностью мощности ниже порогов разрушения или плавления. Наблюдаемые увеличения фото- и темновой проводимости объясняются появлением слоя Te на поверхности CdTe после облучения. Эффект переключения с памятью и резкий скачок люкс-амперной характеристики при высоких уровнях возбуждения обусловлены образованием межгранульных границ, создающих поверхностно-барьерные структуры CdTe-Te.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.