Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2022, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 7
XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14- 17 марта 2022 г.
Берковиц В.Л., Кособукин В.А., Улин В.П., Алексеев П.А., Солдатенков Ф.Ю., Левицкий В.А.
XXVI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-17 марта 2022 г. Влияние химической пассивации поверхности GaAs(001) на анизотропию и ориентацию образующихся на ней нанокластеров золота и их плазмонов
613
Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В.
Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ
618
Васильев Ю.Б.
Двумерные плазменные возбуждения в неупорядоченном массиве квантовых антиточек
624
Востоков Н.В., Дроздов М.Н., Краев С.А., Хрыкин О.И., Юнин П.А.
Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN
627
Гиршова Е.И., Микитчук Е.П., Белоновский А.В., Морозов К.М.
Гибридный металлополимер на основе полиметилметакрилата с внедренными металлическими наночастицами как активная среда оптоакустического генератора ультразвука
630
Дунаевский М.С., Алексеев П.А.
Распределение упругих деформаций в конических нанопроводах при боковых изгибах
634
Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В.
Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры
637
Кавеев А.К., Терещенко О.Е.
Оптимизация буферного диэлектрического слоя для создания малодефектных эпитаксиальных пленок топологического изолятора Pb
1-x
Sn
x
Te c x≥0.4
642
Колосовский Д.А., Дмитриев Д.В., Пономарев С.А., Торопов А.И., Журавлев К.С.
Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии
646
Кочаровская Е.Р., Мишин А.В., Кочаровский Вл.В., Кочаровский В.В.
Поляритонный резонанс в автомодуляции асимметричного состояния сверхизлучающего лазера
651
Лебедев М.В., Львова Т.В., Смирнов А.Н., Давыдов В.Ю., Королева А.В., Жижин Е.В., Лебедев С.В.
Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100)
659
Майдэбура Я.Е., Малин Т.В., Журавлев К.С.
Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака
667
Михайлов А.В., Трифонов А.В., Султанов О.С., Югова И.Ю., Игнатьев И.В.
Квантовые биения экситонов с легкими и тяжелыми дырками в спектрах отражения в квантовой яме GaAs/AlGaAs
672
Осинных И.В., Малин Т.В., Кожухов А.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Журавлев К.С.
Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN
677
Охапкин А.И., Краев С.А., Архипова Е.А., Данильцев В.М., Хрыкин О.И., Юнин П.А., Дроздов М.Н.
Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия
685
Резник Р.Р., Гридчин В.О., Котляр К.П., Хребтов А.И., Убыйвовк Е.В., Микушев С.В., Li D., Radhakrishnan R., Neto J.F., Akopian N., Цырлин Г.Э.
Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии
689
Шоболова Т.А., Гасенин В.В., Шоболов Е.Л., Оболенский С.В.
Ток утечки через подзатворный диэлектрик в транзисторах с длиной канала до 100 нм
693
Андреев Б.А., Лобанов Д.Н., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Юнин П.А., Калинников М.А., Скороходов Е.В., Красильник З.Ф.
Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
700
Белов Д.А., Иконников А.В., Пушкарев С.С., Галиев Р.Р., Пономарев Д.С., Хохлов Д.Р., Ушаков Д.В., Афоненко А.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Хабибуллин Р.А.
Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
705
Гущина Е.В., Дунаевский М.С., Малых Д.А.
Исследование трибоэлектрических зарядов в тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках методами сканирующей зондовой микроскопии
711
Баграев Н.Т., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Уголков В.Л.
Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов
715
Продолжение публикации материалов Симпозиума см. в No 8
Физика полупроводниковых приборов
Gazioglu Dilek Taskin, Dumludag Fatih, Coskun Mustafa, Berber Savas
Fabrication and characterization of P3HT --- based OFETs with TPU --- polymeric gate dielectric prepared by electrospinning method with different thicknesses
719
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук