Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 9
Балев О.Г., Городничий О.П., Чернега П.И.
Особенности магнитополевых зависимостей гальваномагнитных коэффициентов в квантующих магнитных полях
1537
Козловский С.И.
Тензотиристор с ускоряющим электрическим полем в первой базе
1544
Хухрянский М.Ю.
Моделирование распределения потенциала в пластинах анизотропных полупроводников
1552
Вайткус Ю.Ю., Расулов Р.Я., Отажонов С.М.
Фотопроводимость поликристаллических пленок CdTe : Ag в области примесного поглощения света
1558
Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П.
Радиационное дефектообразование в кристаллах Hg
1- x
Cd
x
Te, облученных ионами водорода с энергией 10 МэВ
1565
Александров О.В., Афонин Н.Н.
Модель накопления фосфора в приповерхностной области кремния
1570
Айибжонов М., Каримов М.А., Саидов М.С., Юлдашев Н.Х.
Аномальная температурная зависимость и инфракрасное гашение равновесной проводимости в поликристаллических пленках CdSe
1578
Иванов К.Г., Кондаков О.В., Бровко С.В., Зайцев А.А.
Межзонные оптические переходы на уровнях Ландау в висмуте в ИК диапазоне при T= 80 K
1585
Лигачев В.А., Свиркова Н.Н., Филиков В.А., Васильева Н.Д.
Морфология и спектры плотности состояний пленок a-SiC : H, полученных высокочастотным распылением
1591
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Стряхилев Д.А.
Оптические свойства, плотность состояний и деформация атомной сетки сплавов a-SiN
x
: H, обогащенных кремнием
1601
Михайлова М.П., Стусь Н.М., Слободчиков С.В., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Талалакин Г.Н.
Фотодиоды на основе твердых растворов InAs
1- x
Sb
x
для спектрального диапазона 3--5 мкм
1613
Васильев В.А., Теруков Е.И., Трапезникова, И.Н., Челноков В.Е.
Влияние температуры осаждения на фотолюминесцентные свойства пленок a-C:H
1621
Говорков А.В., Лабутин О.А.
Оптические и люминесцентные свойства напряженных слоев с квантовыми ямами в гетероструктурах GaInAsP/InP, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
1626
Островский И.В., Сайко С.В.
Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
1639
Акимов Б.А., Львова Н.А., Рябова Л.И.
Кинетика фотопроводимости в твердых растворах Pb
1- x
Mn
x
Te (In) при изменении их состава
1647
Алексеева Г.Т., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В.
Дефекты в легированных Na халькогенидах свинца и олова: образование, взаимодействие, влияние на электронный спектр
1653
Дзамукашвили Г.Э.
Об инверсии горячих электронов в Ga
1- x
Al
x
As в сильных E normal H полях
1660
Конин А.М., Сащук А.П.
Термоградиентный концентрационный эффект в биполярном полупроводнике
1666
Махний В.П.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе широкозонных соединений A
II
B
VI
1671
Кадушкин В.И., Шангина Е.Л.
Энергетический спектр и фотолюминесценция структуры GaAs (delta-Sn), выращенной на вицинальной грани
1676
Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Берт Н.А., Косогов А.О., Алферов Ж.И., Бимберг Д.
Формирование вертикально совмещенных массивов напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs(100)
1682
Колесников Н.В., Мальханов С.Е., Якименко А.Н.
Исследованные концентрации локальных уровней и поверхностных состояний в gamma-облученных МДП структурах
1691
Песков Н.В., Медведев Б.К.
Компьютерное моделирование роста в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии гетероперехода A
III
B
III
C
V
/A
III
C
V
с латерально неоднородным распределением компонент A и B
1695
Журавлев К.С., Калагин А.К., Мошегов Н.Т., Торопов А.И., Шамирзаев Т.С., Шегай О.А.
Влияние температуры зоны крекинга твердотельного источника мышьяка на состав фоновых примесей в GaAs, полученном методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1704
Векслер М.И.
Туннельная МДП структура при высокой плотности тока (режим обратного смещения)
1718
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук