"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Картирование времени жизни неравновесных носителей в кремниевых пластинах со структурой из алюминиевых полосок
Миляев В.А.1, Никитин В.А.1, Ширков А.В.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Бесконтактным неразрушающим методом СВЧ релаксометрии исследовалось пространственное распределение (разрешение ~0.2 мм) эффективного времени жизни неравновесных носителей в серии пластин кремния с нанесенной структурой из алюминиевых полосок (шаг 2.9 мм), последующей перекристаллизацией сплава Al-Si в градиенте температур и заключительным внутренним геттерированием. Показано, что после перекристаллизации время жизни определяется дефектами, связанными с алюминием по всей площади пластины, в то время как геттерирование существенно уменьшает этот эффект.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.