"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О природе индуцируемых радиационно-термическим воздействием центров люминесценции в p-GaAs<Zn>
Винник Е.В.1, Глинчук К.Д.1, Гурошев В.И.1, Прохорович А.В.1
1Институт полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Радиационно-термическое воздействие [облучение быстрыми нейтронами (Phi=1015-1016 см-2) и последующий отжиг (T*=100-350oC, t=1 ч)] кристаллов p-GaAs<Zn> приводит к появлению в их Bспектре люминесценции относительно широкой (положение максимума излучения hnum~=1.38 эВ) с тонкой структурой (положение линий hnu = 1.4300, 1.4190, 1.4080, 1.3940, 1.3830 и 1.3720 эВ) полосы излучения. Отмеченная полоса люминесценции обусловлена стимулированным радиационно-термическим воздействием донорно-акцепторными парами VAsZnGa --- рекомбинация связанных в них электронов и дырок приводит к появлению широкой бесструктурной (вследствие эмиссии большого числа TA- и LO-фотонов) полосы излучения с hnum=1.38 эВ, а аннигиляция связанных на них экситонов обусловливает появление структурной (вследствие эмиссии небольшого числа TA- и LO-фононов) полосы излучения с положением бесфононной линии hnu0=1.430 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.