"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция эпитаксиальных GaP p-n-структур, выращенных на Si-подложках
Евстропов В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Сергеев Д.В.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе получены эпитаксиальные фосфид-галлиевые p-n-структуры на Si-подложках. Исследованы их электрические и электролюминесцентные характеристики. Характеристика ток-напряжение при малых значениях тока (6·10-8-6·10-4 А/см-2) имеет туннельный характер. При прямых токах она экспоненциальная (с предэкспоненциальным множителем 10-8 А/см2 и характеристической энергией 75 мэВ), при обратных токах --- степенная (с показателем степени 4). Токовое напряжение отсечки ~1.85 В, напряжение пробоя 12-18 В, дифференциальное сопротивление 4.5 Ом. Характеристика емкость-напряжение имеет квадратичный вид, напряжение отсечки составляет 1.8 В, наклон --- 1.75·10-4 пФ-2/В · см-4. Полученные структуры p-n-GaP/n-Si излучают при обратном смещении видимый свет. Спектр электролюминесценции широкий, спадающий в сторону больших энергий фотонов в диапазоне 1.6-2.5 эВ, квантовый выход электролюминесценции составляет 10-3 % и не зависит от тока. Совокупность полученных экспериментальных данных соответствует представлению о лавинном пробое (при обратном смещении свыше 12-18 В), который обусловлен ударной ионизацией, генерирующей световое излучение.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.