Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения в монокристаллическом PbTe, имплантированном цинком с дозами D=300/10 000 мкКл/см², при T=300 K. Выявлены колоколообразные полосы дополнительного поглощения alpha₁ и alpha₂, связанные с радиационными дефектами. Установлено, что при возрастании дозы вводимого цинка частотные зависимости alpha₁(homega) качественно не изменяются. В то же время при увеличении D в полосе alpha₂ появляется тонкая структура (две компоненты с близкими частотными зависимостями). Показано, что полоса alpha₁ может быть связана с синглетным, а alpha₂ - с дублетным термами вакансии халькогена. В широком интервале доз введенного цинка определены энергетические характеристики имплантированных слоев, в том числе ширина запрещенной зоны и величины энергий оптической перезарядки вакансий халькогена.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.