"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поверхностные состояния на кремнии в МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурах с туннельно-тонким слоем окисла
Берман Л.С.1, Грехов И.В.1, Каримов И.Н.1, Остроумова Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Исследованы поверхностные состояния в структурах алюминий-туннельно-тонкий окисел-n-кремний. Показано, что в верхней части запрещенной зоны кремния имеется максимум плотности поверхностных состояний. В верхней половине запрещенной зоны кремния имеется демаркационный энергетический уровень; при обратном напряжении заполнение поверхностных состояний с энергией ниже этого уровня определяется уровнем Ферми в металле. Наличие такого демаркационного уровня в структуре алюминий-окисел кремния-n-кремний возможно при толщине окисла, близкой к 30 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.