Измерены спектры низкотемпературной фотолюминесценции до и после облучения p-CdTe импульсами излучения рубинового лазера наносекундной длительности с плотностью мощности излучения ниже порога плавления материала. Показано, что по мере увеличения дозы облучения в приповерхностной области материала происходит накопление механических напряжений, которые при достижении порога пластичности кристалла приводят к образованию дислокационной сетки, способствующей релаксации напряжений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.