Показано, что в электронно-дырочной плазме, полученной в узкозонном полупроводнике InSb термической генерацией носителей заряда за счет выделяющегося джоулева тепла при приложении к образцу электрического поля и возбужденной этим же полем, реализуются автосолитоны - самоподдерживающиеся локализованные области относительно низкой концентрации и повышенной температуры носителей заряда - как в виде слоев тока, направленных вдоль приложенного электрического поля, так и в виде перпендикулярных линиям тока слоев сильного электрического поля - доменов, движение которых в электрическом поле обусловлено несимметричностью электронно-дырочной плазмы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.