Исследовались фотодиоды на основе 6H-SiC с неоднородно легированной n-базой. Обнаружены один глубокий центр захвата электронов и семь глубоких центров захвата дырок. Показано, что профиль концентрации нескомпенсированной примеси в n-базе фотодиода определяется наличием глубоких центров: HK₂ (E_v+0.276 эВ, sigma_p=1.3· 10^-15 см²) и HK₃ (E_v+0.306 эВ, sigma_p=8.5·10^-17 см²), которые, по-видимому, являются структурными дефектами. Возможно, что наблюдаемый центр HK₁ (E_v+0.223 эВ, sigma_p=3.6·10^-12 см²) связан с примесью Al.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.