Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Самообращение линий излучения свободных экситонов в монокристаллах CdS

Яблонский Г.П.¹, Ракович Ю.П.¹, Гладыщук А.А.¹

¹Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь B.I.Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus

B.I.Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 12 июля 1993 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые обнаружено самообращение линий излучения свободных экситонов в монокристаллах CdS после нагревания от 77 до 295/395 K и последующего быстрого охлаждения до температуры жидкого азота. Это явление объясняется самопоглощением излучения в тонком приповерхностном слое с пониженной концентрацией экситонов. Неоднородное распределение экситонов обусловлено действием электрических полей, возникающих при зарядке поверхностных состояний.

В.С. Вавилов, А.А. Гиппиус, Ж.Р. Паносян. Сб. Теллурид кадмия, \bf 103, М.: Наука (1968)
B. Sermage, M. Voos. Phys. Rev. B, 15, 3945 (1977)
M.S. Brodin, M.G. Matsko. Sol. St. Commun., 35, 375 (1980)
В.В. Новиков, А.Б. Павлов, В.Г. Талалаев. ФТТ, \bf 23, 207 (1981)
В.В. Травников, В.В. Криволапчук. ФТТ, 24, 961 (1982)
В.В. Криволапчук, С.А. Пермогоров, В.В. Травников. ФТТ, \bf 23, 606 (1981)
R.D. Cowan, G.H. Dieke. Rev. Mod. Phys., 20, 418 (1948)
П.И. Перов, Л.А. Авдеева, А.Г. Ждан, М.И. Елинсон. ФТТ, \bf 11, 92 (1969)
J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev., 116, 573 (1959)
S.R. Morrison. Adv. Catal., 7, 259 (1975)
D. Berlincourt, H. Jaffe, L.R. Shiozawa. Phys. Rev., \bf 129, 1009 (1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель