Изменения электрофизических параметров систем Si--SiO 2, индуцированные импульсным магнитным полем
Масловский В.М.1, Климов Ю.А.1, Самсонов Н.С.1, Симанович Е.В.1
1Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
Исследуются изменения гистограмм значений времен релаксации tau нестационарной емкости кремневых МДП структур, а также заряда на межфазной границе Si-SiO2 после воздействия импульсного магнитного поля. Установлено появление магнитно-индуцированных долговременных изменений положения пика на гистограмме значений tau после окончания кратковременного (менее 1 мин) воздействия, а также увеличение положительного встроенного в диэлектрик заряда. Необратимое изменение генерационного времени жизни носителей в кремнии обусловлено влиянием импульсного магнитного поля на спин-зависимые квазихимические реакции распада метастабильных примесно-дефектных комплексов с последующим образованием генерационных центров. Обнаружено, что электрическое поле в обедненном слое кремния ускоряет деградационные процессы лишь после воздействия импульсного магнитного поля. Это обусловлено миграцией в электрическом поле продуктов распада - собственных и примесных точечных дефектов.
- В.М. Масловский, С.Н. Постников. Матер. IV межд. науч.-техн. сем. по нетрадиционным технологиям, Ботевград-1989, 5. София--Горький (1989)
- Ю.А. Климов, В.М. Масловский, В.В. Минаев, С.Н. Постников. Матер. VI Всес. конф. по физике диэлектриков, сер. 6, Материалы, вып. 5 (281), 50 (1988)
- Ю.А. Климов, В.М. Масловский, В.В. Тарасенко. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, вып. 5 (139), 20(1990)
- Я.Б. Зельдович, А.Л. Бучаченко, Е.Л. Франкевич. УФН, \bf 155, 3 (1988)
- Ю.А. Климов, В.М. Масловский, К.В. Холоднов. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, вып. 5 (144), 22 (1991)
- П.Ю. Ефиценко, И. Мавлоназаров, В.М. Микушев, Е.В. Чарная. ФТТ, \bf 34, 1753 (1992)
- Kholodnov K.V., V.M. Maslovsky, N.S. Samsonov. Mater. Res. Soc. Fall Meeting, Abstracts, 133 (1992)
- В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, Е.П. Найден. ФТП, \bf 23, 1596 (1989)
- Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко. ФТТ, 21, 120 (1979)
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник. Киев (1978)
- А.Г. Кадменский, С.Г. Кадменский, М.Н. Левин, В.М. Масловский, В.Е. Чернышев. Письма в ЖТФ, \bf 19, 41 (1993)
- Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brower. Phys. St. Sol. (a), \bf 41, 637 (1977)
- Г.С. Мякенькая, Г.Л. Гуцев. ФТП, 27, 391 (1993)
- Ю.В. Выжигин, Н.А. Соболев, Б.Н. Грессеров, Е.И. Шек. ФТП, \bf 26, 1938 (1992)
- П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 24, 1721 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук