"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МПМ структуре при наличии глубоких примесных уровней. 2. Большие интенсивности
Резников Б.И.1, Царенков Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российская академия наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Теоретически исследовано влияние глубоких примесей на фотоэффект в сильно смещенной высокоомной симметричной МПМ структуре при освещении монохроматическим светом (hnu>~= Eg). Решалась система уравнений непрерывности в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах учтена термоэлектронная эмиссия носителей через поверхность металл--полупроводник. Результаты приведены для структуры Au--CdTe--Au с одиночным примесным уровнем, проявляющим себя в толще как уровень прилипания для дырок. Показано, что и при наличии примеси при интенсивностях, превосходящих критическую, в тонком слое вблизи анода имеет место инверсия (смена знака) электрического поля. За инверсной областью расположена область квазинейтральности, ширина которой растет с интенсивностью и заметно уменьшается с ростом Nt. Последнее связано с рекомбинацией носителей в потенциальной яме для электронов. С ростом Nt уменьшается величина поля у катода. Качественный характер зависимости ток--интенсивность такой же, как и при отсутствии примесей. Однако величина тока, ограниченного объемным зарядом (ТООЗ), и скорость роста тока при интенсивностях, превышающих инверсную, заметно уменьшаются из-за захвата дырок на примесные уровни в толще структуры. При малых Nt величина ТООЗ линейно уменьшается с ростом Nt. Характеристика ток--напряжение линейна при малых напряжениях V и испытывает насыщение при больших V. Ток насыщения пропорционален интенсивности освещения и не зависит от Nt. С уменьшением V распределение E(x) в толще становится немонотонным, вблизи анода появляется область, где d2E/dx2>0, ширина инверсной области растет и при малых V и Nt может достигать десятков микрон.
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
  • П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Царенков Г.В. ФТП, \bf 26, 1480 (1992)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
  • T. Takebe, J. Sarai, H. Matsunami. J. Appl. Phys., \bf 53, 457 (1982)
  • D.L. Scharfetter, H.K. Gummel. IEEE Trans. Electron. Dev., Ed-16, N 1, 64 (1969)
  • А.А. Самарский. Введение в теорию разностных схем. М.: Наука (1971)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир (1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.