Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу о механизме формирования пористого кремния

Мороз Г.К.¹, Жерздев А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние дефектов и механических напряжений в подложке на однородность формирования пленок пористого кремния при анодном травлении кремниевой подложки в плавиковой кислоте. Обнаружен переход от режима формирования пористого кремния к режиму электрополировки в областях повышенного содержания дефектов и механических напряжений. Предлагается энергетический механизм локального зарождения пор на поверхности кремния.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
Y. Watanabe, V. Arita, T. Yokoyma, V. Igarashi. J. Electrochem. Soc., \bf 122, 1351 (1975)
T. Unagami. J. Electrochem. Soc., 127, 476 (1980)
Y. Arita, Y. Sunohara. J. Electrochem. Soc., \bf 124, 289 (1977)
G. Bomchil, R. Herino, K. Barla, J.C. Pfister. J. Electrochem. Soc. \bf 130, 1611 (1983)
С.Е. Захарова, Г.К. Мороз, С.М. Поляков, А.М. Скворцов, Л.П. Сорокина. Вопр. радиоэлектрон. Сер. Технол. пр-ва и оборуд., вып. 3, 82 (1979)
M.I.J. Beale, N.G. Chew, M.J. Uren, A.G. Gullis, J.D. Benjamin. Appl. Phys. Lett., \bf 46, 86 (1985)
Y. Arita. \it IV Int. Conf. Vapour Growth and Epitaxy (Nagoya, 1978) p. 222
Д.Н. Гулидов, Н.А. Квят, И.А. Свердлин, В.Ю. Харламов, Ю.Д. Чистяков, Б.Л. Эйдельман. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, вып. 4, 41 (1983)
R. Memming, G. Schwandt. Surf. Sci., 4, 109 (1966)
Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., 1982)
Г.Л. Бир, Е.Г. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель