Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Параметры центра, связанного с примесью Al в 6H-SiC

Кузнецов Н.И.¹, Дмитриев А.П.¹, Фурман А.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 декабря 1993 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались 6H-SiC-диоды с различной степенью легирования алюминием базовой области p-типа. В помощью токовой спектроскопии глубоких уровней определены параметры центра, связанного с примесью Al. Приведена теоретическая оценка сечения захвата дырки на заряженный центр в карбиде кремния. Результаты оценки согласуются с экспериментом.

L. Patrick. Phys. Rev., 127, 1878 (1962)
M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiwa, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., \bf 50, 8215 (1979)
M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, \bf 22, 2842 (1980)
Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, \bf 12, 2918 (1970)
J.A. Edmond et al. In: Springer Proceedings in Physics (ed. by C.Y. Yang, M.M. Rahman, G.L. Harris), 71, Springer Verlag, Berlin (1992)
J.A. Edmond et al. In: IEEE MTT Device Research Symposium Charletesville (1991)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
Н.И. Кузнецов. ФТП, 27, 1674 (1993)
Н.И. Кузнецов. ПТЭ, 6, 163 (1990)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, \bf 12, 3 (1978)
N.J. van Daal, W.F. Knippenbery, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., \bf 24, 109, (1963)
Yu.A. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Moxov, E.I. Radovanova, V.I. Sokolov, M.M. Usmanova. Phys. St. Sol. (a), \bf 35, 37 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель