Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изучение эпитаксиальных структур GaAs методом акустомодуляции отражения света

Коротченков О.А.¹

¹Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Зарегистрированы спектры акустически модулированного отражения (АМО) света эпитаксиальных пленок GaAs, специально не легированных и с примесями Si и Te. Обнаружены пики АМО на 1.427/1.407 эВ и вблизи 2.9 эВ, соответствующие электронным переходам в критических точках M₀ и M₁ зонной схемы GaAs, а также сдвинутые на 35/40 мэВ ниже края фундаментального поглощения, соответствующие уровням мелких точечных центров. Интенсивные линии в спектрах АМО на 1.35 и 1.37 эВ предположительно связываются с несовершенствами структуры GaAs вблизи границы раздела подложка-эпитаксиальная пленка.

М. Кардона. Модуляционная спектроскопия (М., 1972)
B.O. Seraphin, N. Bottka. Phys. Rev., 145, 628 (1966)
А.Г. Жилич, Б.С. Монозон. \it Магнито- и электропоглощение света в полупроводниках (Л., 1984)
W. Garfinkel, J.J. Tiemann, W.E. Engeler. Phys. Rev., \bf 148, 695 (1966)
J.L. Shay. Phys. Rev. B, 2, 803 (1970)
B. Batz. Sol. St. Commun., 4, 241 (1966)
R.N. Bhattacharya, H. Shen et al. Phys. Rev. B, \bf 37, 4044 (1988)
Y.R. Lee, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 41, 8380 (1990)
И.В. Островский, О.А. Коротченков. УФЖ, 30, 356 (1985)
И.В. Островский. Письма в ЖЭТФ, 34, 467 (1981)
\it Физическая акустика, под ред. У. Мэзона (М., 1966) Т. 1, ч. А
А.Н. Пихтин, В.М. Айраксинен, Х. Липсанен, Т. Туоми. ФТП. \bf 23, 1280 (1989)
K. Saarinen, P. Hautojarvi, P. Lanki, C. Corbel. Phys. Rev. B, \bf 44, 10585 (1991)
В.В. Попов, А.В. Чаплик. ФТП, 10, 1780 (1976)
A. Abbate, K.J. Han, I.V. Ostrovskii, P. Das. Sol. St. Electron., \bf 36, 679 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель